[发明专利]微机电系统传感器及微机电系统传感器的制造方法

权利要求书

1.一种微机电系统传感器，包括：

质量体；

支撑体，其通过环形沟道包围所述质量体并与该质量体分离，所述支撑体和所述质量体由共同的基底形成；

柔性梁，其具有压敏电阻件并且由半导体层形成，该半导体层从所述基底的上表面向上分开第一距离；

第一连接件，其延伸穿过所述柔性梁的中央区域并到达所述质量体，所述第一连接件使所述柔性梁和所述质量体机械地联接；

第二连接件，其接触所述柔性梁的各远端并延伸穿过所述半导体层，到达所述支撑体，所述第二连接件使所述柔性梁和所述支撑体机械地联接。

2.根据权利要求1所述的微机电系统传感器，其中：

该传感器还包括第一止挡件，该第一止挡件包括第一接触区域和第一非接触区域，所述第一接触区域延伸穿过所述半导体层、到达所述支撑体、并且与所述支撑体机械地联接，所述第一非接触区域与所述第一接触区域接壤、在所述质量体的上方延伸、并且从所述质量体的上表面向上分开所述第一距离。

3.根据权利要求2所述的微机电系统传感器，其中：

所述质量体具有大致矩形的平面形状，所述柔性梁具有十字形平面形状，并且所述第一连接件延伸穿过所述十字形平面形状的交叉区域。

4.根据权利要求3所述的微机电系统传感器，其中：

所述第一接触区域在所述质量体角部外侧的位置与所述支撑体联接，并且所述第一非接触区域被设置在所述质量体的所述角部的上方。

5.根据权利要求2所述的微机电系统传感器，其中：

所述第一和第二连接件以及所述第一止挡件的所述第一接触区域由第一材料制成。

6.根据权利要求5所述的微机电系统传感器，其中：

所述第一止挡件的所述第一非接触区域由所述第一材料制成。

7.根据权利要求5所述的微机电系统传感器，其中：

所述第一止挡件的所述第一非接触区域由所述半导体层形成。

8.根据权利要求1所述的微机电系统传感器，其中：

该传感器还包括第二止挡件，该第二止挡件包括第二接触区域和第二非接触区域，所述第二接触区域延伸穿过所述半导体层、到达所述质量体、并且与所述质量体机械地联接，所述第二非接触区域与所述第二接触区域接壤、在所述支撑体的上方延伸、并且从所述支撑体的上表面向上分开所述第一距离。

9.根据权利要求8所述的微机电系统传感器，其中：

所述第一和第二连接件以及所述第二止挡件的所述第二接触区域由第一材料制成。

10.根据权利要求9所述的微机电系统传感器，其中：

所述第二止挡件的所述第二非接触区域由所述第一材料制成。

11.根据权利要求9所述的微机电系统传感器，其中：

所述第二止挡件的所述第二非接触区域由所述半导体层形成。

12.根据权利要求2所述的微机电系统传感器，其中：

所述第一非接触区域包括通孔。

13.根据权利要求2所述的微机电系统传感器，其中：

所述第一和第二连接件和所述第一止挡件各由具有不同蚀刻特性和应力极性的材料的叠层形成。

14.一种用于制造微机电系统传感器的方法，包括如下步骤：

在叠层基底上限定：用于质量体的区域、用于包围所述质量体的沟道的区域和用于所述沟道区域外侧的支撑体的区域，所述叠层基底是在一基底上经由中间层叠置了半导体层，所述中间层的蚀刻特性与所述半导体层和所述基底的蚀刻特性不同；

在所述质量体区域的中央区的区域和在所述支撑体区域上方的环形区域中对所述半导体层和所述中间层进行蚀刻，以形成暴露所述基底的凹入部；

在所述凹入部中掩埋支撑材料层，该支撑材料层的蚀刻特性与所述中间层的蚀刻特性不同；

蚀刻所述半导体层，以在所述质量体区域上方构图出十字形柔性梁单元，该柔性梁单元包括在交叉区域的中央区的所述区域；

蚀刻所述基底的所述沟道区域，以形成暴露所述中间层的沟道；和

湿法蚀刻所述中间层。