[发明专利]制造CMOS图像传感器的方法无效
| 申请号： | 200910265669.2 | 申请日： | 2009-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101771064A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 郑冲耕 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 cmos 图像传感器 方法 | ||
1.一种制造CMOS图像传感器的方法，包括以下步骤：
以规则的间隔在半导体衬底上形成多个光电二极管；
在包括所述光电二极管的半导体衬底的整个表面上形成层间绝缘膜；
在所述层间绝缘膜的整个表面上涂覆有机化合物；
在所述有机化合物上涂覆光致抗蚀剂；
将所述光致抗蚀剂进行曝光和显影，以形成光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂图案暴露出与光电二极管区相对的层间绝缘膜；
使用所述光致抗蚀剂图案作为掩模来选择性地蚀刻如此暴露的层间绝缘膜的一部分；以及
去除所述光致抗蚀剂图案。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述有机化合物是含有-OH基的有机物质。
3.如权利要求1所述的方法，其中通过旋涂工艺来涂覆所述有机化合物。
4.如权利要求1所述的方法，其中在所述层间绝缘膜的整个表面上涂覆有机化合物的步骤包括以下步骤：使用TMAH化学溶剂对所述有机化合物进行湿法蚀刻。
5.如权利要求4所述的方法，其中使用TMAH化学溶剂对所述有机化合物进行湿法蚀刻的步骤包括以下步骤：将-CxHy基从所述有机化合物去除。
6.如权利要求2所述的方法，其中所述有机化合物中的-OH基与所述光致抗蚀剂中的甲基产生氢键结合。
7.如权利要求1所述的方法，其中使用所述光致抗蚀剂图案作为掩模来选择性地蚀刻如此暴露的层间绝缘膜的一部分的步骤包括以下步骤：使用BHF进行湿法蚀刻。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述BHF的比率为NH4F∶HF＝1∶1～10。
9.如权利要求1所述的方法，其中使用所述光致抗蚀剂图案作为掩模来选择性地蚀刻如此暴露的层间绝缘膜的一部分的步骤还包括以下步骤：将所述层间绝缘膜蚀刻到深度为0.5～1.5nm。
10.如权利要求1所述的方法，其中去除所述光致抗蚀剂图案的步骤包括以下步骤：使用H2SO4∶H2O2＝2～10∶1的混合溶剂去除所述光致抗蚀剂图案。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
