[发明专利]背面照射式图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200910265671.X | 申请日: | 2009-12-28 |
公开(公告)号: | CN101771066A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 金文焕 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 郑小军;郑特强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背面 照射 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种背面照射式图像传感器,其包括:
光敏器件和读出电路,位于第一衬底的正面;
层间电介质层,位于所述第一衬底的正面,处于所述光敏器件和所述读出电路的上方;
金属线,位于所述层间电介质层上;
焊盘,具有阶梯部,位于所述层间电介质层上;以及
第二衬底,与所述第一衬底的正面接合,处于所述金属线和所述焊盘的上方。
2.根据权利要求1所述的背面照射式图像传感器,其中所述金属线的第一金属与所述焊盘形成于相同的金属层级处。
3.根据权利要求1所述的背面照射式图像传感器,还包括位于所述第一衬底的背面的滤色镜。
4.根据权利要求1所述的背面照射式图像传感器,还包括在所述焊盘上方形成于所述第二衬底和所述第一衬底的正面之间的电介质层。
5.一种制造背面照射式图像传感器的方法,包括下列步骤:
在第一衬底的正面形成离子注入层;
在第一衬底的正面、形成所述离子注入层的位置的上方,形成光敏器件和读出电路;
在所述第一衬底的正面、所述光敏器件和所述读出电路的上方,形成层间电介质层;
在所述层间电介质层上形成金属线和焊盘金属线;
在所述金属线和所述焊盘金属线上方,将第二衬底与所述第一衬底的正面相接合;以及
移除所述第一衬底的位于所述离子注入层下方的下部。
6.根据权利要求5所述的制造背面照射式图像传感器的方法,其中形成所述离子注入层的步骤以及形成所述光敏器件和所述读出电路的步骤包括:
在所述第一衬底的正面形成所述光敏器件;
在形成所述光敏器件之后,通过将离子注入所述第一衬底来形成所述离子注入层;以及
在形成所述离子注入层之后,在所述第一衬底的正面形成所述读出电路。
7.根据权利要求5所述的制造背面照射式图像传感器的方法,其中在形成所述光敏器件和所述读出电路之前形成所述离子注入层。
8.根据权利要求5所述的制造背面照射式图像传感器的方法,其中在形成所述金属线和所述焊盘金属线时,所述金属线的第一金属和所述焊盘金属线的焊盘形成于相同的金属层级处。
9.根据权利要求8所述的制造背面照射式图像传感器的方法,其中在形成所述焊盘金属线的焊盘时,所述焊盘形成为具有阶梯部。
10.根据权利要求8所述的制造背面照射式图像传感器的方法,其中形成所述层间电介质层的步骤以及形成所述金属线和所述焊盘金属线的步骤包括:
在所述第一衬底的正面形成第一层间电介质层;
在所述第一层间电介质层的将要形成所述焊盘金属线的焊盘的那部分区域,移除所述第一层间电介质层的一部分;
在部分被移除的所述第一层间电介质层上形成第一金属金属线;
通过将所述金属层图案化来形成所述金属线的第一金属以及所述焊盘金属线的焊盘;所述焊盘形成在所述第一层间电介质层上且覆盖所述第一层间电介质层的所述被移除部分,以具有阶梯部;以及
在所述第一金属和所述焊盘上形成第二层间电介质层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的