[发明专利]图案化介质母图案和磁介质盘及其形成方法和装置

权利要求书

1.一种形成图案化介质的母图案和磁介质盘的方法，包括：

a、使用电子束光刻形成盘上的同心环的化学对比度图案，其中所述同心环的间距等于目标道节距的整数倍，所述环包括在伺服扇区头部内的区域，该伺服扇区头部内的区域处所述环径向偏移一部分道节距；

b、进行自组装以在所述化学对比度图案上以目标道节距形成新的环图案，其包括在所述伺服扇区头部中的径向偏移；

c、将所述新的环图案转移到磁介质盘以形成所述磁介质盘上的数据道，所述数据道通过非磁槽分隔开，所述非磁槽和所述数据道包括径向偏移区。

2.如权利要求1所述的方法，其中步骤a包括提供具有化学对比度的衬底，该衬底提供对嵌段共聚物的组成材料不同的润湿亲和性从而引导嵌段共聚物的组装，且其中所述图案化介质包括离散道介质。

3.如权利要求2所述的方法，其中通过使用材料沉积薄膜于该衬底上而形成所述化学对比度，该材料或者中性或者对于预期的嵌段共聚物自组装的多种微畴域类型中的至少一种是稍微优先的。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述薄膜是共聚物刷膜，电子束抗蚀剂施加于所述共聚物刷膜上且被曝光和显影以在所述抗蚀剂中产生开口区域，使得所述电子束抗蚀剂中的开口区域暴露部分所述聚合物刷膜。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述开口区域的宽度的范围从与所述嵌段共聚物形成的宽度相同到通过所述电子束定义的环间距的50％，所述目标道节距在25至100nm的范围。

6.如权利要求4所述的方法，其中在所述聚合物刷膜未被电子束抗蚀剂覆盖的所述开口区域中所述聚合物刷膜的化学属性被改变，然后用合适的溶剂去除所述电子束抗蚀剂从而形成在化学改性的聚合物刷区域和未改性的区域之间具有化学对比度的所述衬底。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述聚合物刷膜经历氧等离子体以从所述非磁槽去除所述聚合物刷膜从而暴露所述衬底。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述一部分道节距是二分之一道。

9.如权利要求1所述的方法，其中步骤b包括在所述化学对比度图案上涂覆嵌段共聚物溶液且进行退火步骤，且所述聚合物材料可包括双嵌段共聚物、三嵌段共聚物、n嵌段共聚物以及嵌段共聚物与均聚物的混合。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述嵌段共聚物被选择来形成条状畴域，所述电子束对比度图案的间距被选择为是所述退火的嵌段共聚物的自然周期的小整数倍。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述条状畴域包括或者层状相或者柱相的嵌段共聚物。

12.如权利要求9所述的方法，其中在退火之后，所述嵌段共聚物形成与下面的化学对比度图案基本平行且配准的周期性的条，且由于所述化学对比度图案包括所述偏移区，所述嵌段共聚物层遵循所述化学对比度图案中的位移。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述伺服扇区头部包括在其起点和末端处的转变区，形成所述化学对比度图案从而为所述伺服扇区头部内和所述伺服扇区头部外的脉冲串提供空间，使得所述转变区可以被伺服解码器忽略。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述脉冲串包括A、B、C和D脉冲串，所述A、B、C和D脉冲串具有在所述非磁槽处的直的高质量的边缘且与下面的化学对比度图案配准，从而支持精确的读头位置确定。

15.如权利要求1所述的方法，其中通过奇数伯格斯矢量b的边缘位错形成嵌段共聚物条图案的所述一部分道节距偏移。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述边缘位错通过以下之一引起：b＝1的线位移；b＝3的线位移；T结；以及随机图案。

17.一种硬盘驱动器，包括：

封壳；

可旋转地安装到所述封壳的盘，所述盘具有图案化磁介质，所述图案化磁介质具有预图案化的数据道，所述预图案化的数据道是同心的，所述数据道具有带头部的伺服扇区，其中在所述伺服扇区头部内，部分头部从所述数据道偏移数据道节距的一部分；以及

致动器，具有用于从所述数据道读取数据的换能器。