[发明专利]图像传感器的微透镜掩模及其用于形成微透镜的方法

权利要求书

1.一种作为曝光掩模的微透镜掩模，其用于图案化微透镜光致抗蚀剂层，该微透镜掩模包括多个形成五边形或六边形阵列的图案，该图案的侧边彼此相邻并且通过间隔隔开。

2.如权利要求1所述的微透镜掩模，其中该形成五边形或六边形阵列的图案是五边形的并且该阵列具有雪晶图案，或者其中该形成五边形或六边形阵列的图案是六边形的并且该阵列具有蜂窝图案。

3.如权利要求1所述的微透镜掩模，其中该间隔大约为0.045μm或0.055μm。

4.一种用于形成微透镜的方法，包括：

在半导体衬底上为图像传感器形成绝缘层和金属衬垫，通过该绝缘层使该金属衬垫暴露于外部；

在该绝缘层上形成钝化层；

通过该钝化层在该绝缘层上形成滤色镜层；

在包括该滤色镜层、该钝化层，以及暴露的金属衬垫的该半导体衬底的整个表面之上形成微透镜光致抗蚀剂层；

在该微透镜光致抗蚀剂层上形成与该滤色镜层相对应的微透镜掩模，该微透镜掩模包括多个形成五边形或六边形阵列的图案，该图案的侧边彼此相邻并且通过间隔隔开；

以大约450/0至550/0曝光量/焦距的光强执行一次曝光工艺；

图案化该滤色镜层上的该微透镜光致抗蚀剂层；以及

回流该图案化的微透镜光致抗蚀剂层以形成微透镜。

5.根据权利要求4所述的方法，其中该形成五边形或六边形阵列的图案是五边形的并且该阵列具有雪晶图案。

6.根据权利要求4所述的方法，其中该形成五边形或六边形阵列的图案是六边形的并且该阵列具有蜂窝图案。

7.根据权利要求4所述的方法，其中该间隔大约为0.045μm或0.055μm。

8.根据权利要求4所述的方法，其中调节该曝光工艺的光强以完全地除去该金属衬垫上的该微透镜光致抗蚀剂层。

9.根据权利要求4所述的方法，其中该绝缘层包括未掺杂的硅酸盐玻璃，并且该钝化层包括氮化硅层。

10.根据权利要求4所述的方法，其中图案化该微透镜光致抗蚀剂层包括：

除去该微透镜掩模；以及

执行显影工艺以除去在该一次曝光工艺时暴露的该光致抗蚀剂层。