[发明专利]用于半导体集成电路的导电结构及其形成方法

权利要求书

1.一种用于一半导体集成电路的导电结构，其中该半导体集成电路包含一衬垫及一保护层，局部覆盖该衬垫，该保护层具有一边缘区域，以界定出该衬垫的一暴露区域，该导电结构包含：

至少一中间导电层，具有邻近该暴露区域的一内侧边缘区域，该至少一中间导电层形成于该保护层的上方，该保护层的边缘区域及该至少一中间导电层的内侧边缘区域，顺序形成为一阶梯状的轮廓，并界定出一容置空间；

一底层金属，该底层金属与该暴露区域接触，并连续延伸覆盖该保护层的边缘区域及该至少一中间导电层的内侧边缘区域；以及

一凸块，对应于该暴露区域，形成于该底层金属上并完全横向覆盖于该容置空间上。

2.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于该凸块为一金凸块。

3.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于该至少一中间导电层与该底层金属的至少其中之一，是由钛钨合金制成。