[发明专利]发光元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910266836.5 申请日: 2004-09-24
公开(公告)号: CN101789497A 公开(公告)日: 2010-07-28
发明(设计)人: 池田寿雄;坂田淳一郎 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54;H01L51/50;H01L51/52
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈哲锋
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种能够用于有机发光装置中的层,包含:

具有比电子输送性质大的空穴输送性质的有机化合物,以及

无机化合物,

其中,无机化合物是氧化钼,

其中,所述有机化合物和所述无机化合物混合在所述层中,以及

其中,所述层具有等于或大于40nm的厚度。

2.根据权利要求1的层,

其中,有机化合物是芳香胺化合物。

3.根据权利要求1的层,

其中,所述层是通过所述有机化合物和所述无机化合物的共同沉积形 成的。

4.根据权利要求1的层,

其中,在所述层中形成所述有机化合物和所述无机化合物的电荷转移 络合物。

5.发光元件,包含:

第一电极,所述第一电极由氧化铟锡、含有硅的氧化铟锡、氧化铟锌、 选自金、铂、镍、钨、铬、钼和钛中的一种金属、含有钛的铝或氮化钛形成,

在所述第一电极上的第一层,以及

在所述第一层上的第二电极,

其中,所述第一层含有混合在所述第一层中的有机化合物和无机化合 物,

其中,所述有机化合物具有比电子输送性质大的空穴输送性质,以及

其中,所述无机化合物是氧化钼。

6.根据权利要求5的发光元件,

其中,所述有机化合物是芳香胺化合物。

7.根据权利要求5的发光元件,

其中,所述有机化合物具有10-6cm2/Vs或更大的空穴迁移率。

8.根据权利要求5的发光元件,

其中,所述第一层具有40nm至160nm的膜厚度。

9.根据权利要求5的发光元件,

其中,在所述第一层中形成所述有机化合物和所述无机化合物的电荷 转移络合物。

10.发光元件,包含:

第一电极,

在所述第一电极上并与所述第一电极接触的第一层,所述第一层具有 等于或大于40nm的厚度,以及

在第一层上的第二电极,

其中,所述第一层具有有机化合物和无机化合物,所述有机化合物和 无机化合物混合在第一层中,

其中,所述有机化合物具有比电子输送性质大的空穴输送性质,以及

其中,所述无机化合物是半导体氧化物或金属氧化物。

11.根据权利要求10的发光元件,

其中,所述有机化合物是芳香胺化合物。

12.根据权利要求10的发光元件,

其中,所述无机化合物选自氧化钼,氧化钒,氧化钌和氧化钨。

13.根据权利要求10的发光元件,

其中,所述无机化合物是氧化钼。

14.根据权利要求10的发光元件,

其中,所述第一电极是阳极。

15.根据权利要求10的发光元件,

其中,所述第一电极包含金属,

其中,所述第二电极具有透光性,当将电压施加在所述第一电极和所 述第二电极之间时通过所述第二电极提取光。

16.根据权利要求10的发光元件,

其中,所述第一层的厚度为40nm至160nm。

17.根据权利要求10的发光元件,还包含第二层,

其中,所述第二层在第一层上形成并与所述第一层接触,

其中,所述第二层含有芳香胺化合物。

18.根据权利要求10的发光元件,

其中,在所述第一层中形成所述有机化合物和所述无机化合物的电荷 转移络合物。

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