[发明专利]发光元件及其制造方法有效
申请号: | 200910266836.5 | 申请日: | 2004-09-24 |
公开(公告)号: | CN101789497A | 公开(公告)日: | 2010-07-28 |
发明(设计)人: | 池田寿雄;坂田淳一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种能够用于有机发光装置中的层,包含:
具有比电子输送性质大的空穴输送性质的有机化合物,以及
无机化合物,
其中,无机化合物是氧化钼,
其中,所述有机化合物和所述无机化合物混合在所述层中,以及
其中,所述层具有等于或大于40nm的厚度。
2.根据权利要求1的层,
其中,有机化合物是芳香胺化合物。
3.根据权利要求1的层,
其中,所述层是通过所述有机化合物和所述无机化合物的共同沉积形 成的。
4.根据权利要求1的层,
其中,在所述层中形成所述有机化合物和所述无机化合物的电荷转移 络合物。
5.发光元件,包含:
第一电极,所述第一电极由氧化铟锡、含有硅的氧化铟锡、氧化铟锌、 选自金、铂、镍、钨、铬、钼和钛中的一种金属、含有钛的铝或氮化钛形成,
在所述第一电极上的第一层,以及
在所述第一层上的第二电极,
其中,所述第一层含有混合在所述第一层中的有机化合物和无机化合 物,
其中,所述有机化合物具有比电子输送性质大的空穴输送性质,以及
其中,所述无机化合物是氧化钼。
6.根据权利要求5的发光元件,
其中,所述有机化合物是芳香胺化合物。
7.根据权利要求5的发光元件,
其中,所述有机化合物具有10-6cm2/Vs或更大的空穴迁移率。
8.根据权利要求5的发光元件,
其中,所述第一层具有40nm至160nm的膜厚度。
9.根据权利要求5的发光元件,
其中,在所述第一层中形成所述有机化合物和所述无机化合物的电荷 转移络合物。
10.发光元件,包含:
第一电极,
在所述第一电极上并与所述第一电极接触的第一层,所述第一层具有 等于或大于40nm的厚度,以及
在第一层上的第二电极,
其中,所述第一层具有有机化合物和无机化合物,所述有机化合物和 无机化合物混合在第一层中,
其中,所述有机化合物具有比电子输送性质大的空穴输送性质,以及
其中,所述无机化合物是半导体氧化物或金属氧化物。
11.根据权利要求10的发光元件,
其中,所述有机化合物是芳香胺化合物。
12.根据权利要求10的发光元件,
其中,所述无机化合物选自氧化钼,氧化钒,氧化钌和氧化钨。
13.根据权利要求10的发光元件,
其中,所述无机化合物是氧化钼。
14.根据权利要求10的发光元件,
其中,所述第一电极是阳极。
15.根据权利要求10的发光元件,
其中,所述第一电极包含金属,
其中,所述第二电极具有透光性,当将电压施加在所述第一电极和所 述第二电极之间时通过所述第二电极提取光。
16.根据权利要求10的发光元件,
其中,所述第一层的厚度为40nm至160nm。
17.根据权利要求10的发光元件,还包含第二层,
其中,所述第二层在第一层上形成并与所述第一层接触,
其中,所述第二层含有芳香胺化合物。
18.根据权利要求10的发光元件,
其中,在所述第一层中形成所述有机化合物和所述无机化合物的电荷 转移络合物。
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