[发明专利]酞菁铜聚合物薄膜吸声材料及其制备方法无效
申请号: | 200910272799.9 | 申请日: | 2009-11-17 |
公开(公告)号: | CN101875787A | 公开(公告)日: | 2010-11-03 |
发明(设计)人: | 张智勇;赵宗煌;叶石如;戴志群;曾泳;宋光森 | 申请(专利权)人: | 武汉工业学院 |
主分类号: | C08L85/00 | 分类号: | C08L85/00;C08L79/00;C08K3/22;C08K3/04;C08K3/26;D06M15/687;D06M15/37;D06M11/44;D06M11/46;D06M11/74;D06M11/76;C08J7/04 |
代理公司: | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人: | 狄宗禄 |
地址: | 430023 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 酞菁铜 聚合物 薄膜 吸声材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种酞菁铜聚合物薄膜吸声材料,其特征是该吸声材料由包括酞菁铜聚合物和导电纳米添加剂和成膜辅助剂制备而成,所述的酞菁铜聚合物包括具有式(1)结构式的化合物:
其中R1、R2、R3、R4独立地选自氢原子、苯基、取代苯基、烯丙基、酰胺基、羧基、氰基、硝基或卤原子;或选自1至8个碳原子的烷基、烷氧基和烷胺基;优选为酰胺基和羧基。M代表具有与酞菁衍生物环配位能力的金属原子或氧化数为2的金属离子,它们是Cu,Co,Ni,Al,Zn等,优选为铜和镍。
2.实现权利要求1所述的一种酞菁铜聚合物薄膜吸声材料的制备方法,其特征在于:酞菁铜聚合物与纳米添加剂及成膜辅助剂按照组合物电导率大小的方式,通过超声和研磨分散形成溶液或糊状物,经过过滤后直接喷涂或刷涂于需要消声的物体上,或涂放在载体材料上,制成具有一定导电性的聚合物薄膜吸声材料。
3.根据权利要求1所述的酞菁铜聚合物薄膜吸声材料,其特征在于聚合物薄膜中含有酞菁铜及其衍生物(1)至少一种以上。
4.根据权利要求1所述的酞菁铜聚合物薄膜吸声材料,其特征在于该吸声材料含有至少一种以上的纳米添加剂,这些纳米添加剂包括纳米氧化锌、纳米二氧化钛、纳米石墨和纳米珍珠粉等。
5.根据权利要求1所述的酞菁铜聚合物薄膜吸声材料,其特征在于该材料含有辅助成膜剂至少一种以上,这些辅助成膜剂为环氧树脂、聚酰胺树脂、聚丙烯酸酯、聚氨酯、聚氧乙烯树脂和醋酸纤维等。
6.根据权利要求1所述的酞菁铜聚合物薄膜吸声材料,其特征是酞青铜聚合物与纳米添加剂及辅助成膜剂的质量比分别为(10~15)∶(2~4)∶1,最优比例为(12~14)∶3∶1。
7.根据权利要求2所述酞菁铜聚合物薄膜吸声材料的制备方法,其特征在于所述的载体可为无纺布,或为轻薄布(如尼龙布、涤纶布、丝织品、腈纶布等),或为轻薄塑料膜(如聚酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚乙烯醇缩丁醛薄膜、聚氟乙烯薄膜等)。
8.根据权利要求1所述的酞菁铜聚合物薄膜吸声材料,其特征在于该吸声材料的厚度为0.1~0.5毫米,每平方米重量只有150~400克;其吸收声波的频率范围是125Hz~4000Hz,在这个波频范围内的平均吸声系数大于0.5,最大吸声系数达到0.95。
9.根据权利要求1所述的酞菁酮聚合物薄膜吸声材料的用途,其特征在于该吸声材料可以直接做成薄膜,也可以直接成膜于所需消声物体所需要的部位上。
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