[发明专利]一种可见光下转换红外频移材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910272836.6 申请日: 2009-11-24
公开(公告)号: CN101702070A 公开(公告)日: 2010-05-05
发明(设计)人: 李洪斌;刘启明;叶菁;彭凡 申请(专利权)人: 李洪斌;刘启明;叶菁;彭凡
主分类号: G02F1/377 分类号: G02F1/377;C03C4/12;C09K11/78
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 唐万荣
地址: 430070 湖北省武汉市洪山区*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 可见光 转换 红外 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种可见光下转换红外频移材料的制备方法,其特征在于它包括如下步骤:

1)按各组分所占质量百分数为:低能声子基质80%,稀土离子氧化物总含量10%,过 渡金属离子氧化物总含量8%,烧结助剂2%,选取低能声子基质、稀土离子氧化物、过渡金 属离子氧化物和烧结助剂,备用;

所述的低能声子基质为3Y-ZrO2

所述的稀土离子氧化物为Sm2O3和Eu2O3,Sm2O3、Eu2O3各占稀土离子氧化物总质量的 1/2;

所述的过渡金属离子氧化物为TiO2

所述的烧结助剂为MgO;

2)取低能声子基质总质量的20%的低能声子基质,与上述稀土离子氧化物、过渡金属 离子氧化物和烧结助剂,采用行星磨混合,粉磨至粒度为d50≤1μm,d90≤5μm;然后在氧化 气氛下烧结,烧结温度为1300℃,升温速率为6℃/分钟,保温2小时,自然冷却后,再经行 星磨混合,粉磨至粒度为d50≤1μm,d90≤5μm,获得第一步制备粉体;

3)取剩余的低能声子基质与第一步制备粉体混合,在氧化气氛下烧结,烧结温度为1300 ℃,升温速率为6℃/分钟,保温2小时,经自然冷却后,再经流化床气流磨超细粉碎,粉碎 粒度为d50≤0.5μm,d90≤2μm,得到可见光下转换红外频移材料;

其中d50表示筛下累计百分数为50%所对应的粒径值,d90表示筛下累计百分数为90%所 对应的粒径值。

2.一种可见光下转换红外频移材料的制备方法,其特征在于它包括如下步骤:

1)按各组分所占质量百分数为:低能声子基质90%,稀土离子氧化物总含量2%,过渡 金属离子氧化物总含量7.5%,烧结助剂0.5%,选取低能声子基质、稀土离子氧化物、过渡 金属离子氧化物和烧结助剂,备用;

所述的低能声子基质为3Y-ZrO2

所述的稀土离子氧化物为Gd2O3和Tb2O3,Gd2O3、Tb2O3各占稀土离子氧化物总质量的 1/2;

所述的过渡金属离子氧化物为Cr2O3、MoO2和WO3,Cr2O3、MoO2、WO3各占过渡金属 离子氧化物总质量的1/3;

所述的烧结助剂为MgO和CaO,MgO所占烧结助剂质量百分数为80%,CaO所占烧结 助剂质量百分数为20%;

2)取低能声子基质总质量的40%的低能声子基质,与稀土离子氧化物、过渡金属离子 氧化物和烧结助剂,采用行星磨混合,粉磨至粒度为d50≤1μm,d90≤5μm;然后在氧化气氛 下烧结,烧结温度为1350℃,升温速率为6℃/分钟,保温2小时,自然冷却后,再经行星磨 混合,粉磨至粒度为d50≤1μm,d90≤5μm,获得第一步制备粉体;

3)取剩余的低能声子基质与第一步制备粉体混合,在氧化气氛下烧结,烧结温度为1300 ℃,升温速率为6℃/分钟,保温2小时,经自然冷却后,再经流化床气流磨超细粉碎,粉碎 粒度为d50≤0.5μm,d90≤2μm,得到可见光下转换红外频移材料;

其中d50表示筛下累计百分数为50%所对应的粒径值,d90表示筛下累计百分数为90%所 对应的粒径值。

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