[发明专利]一种降低Ⅲ族氮化物发光二极管光衰的方法无效
| 申请号： | 200910273378.8 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101740693A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 董彬忠;魏世祯;刘榕 | 申请（专利权）人： | 武汉华灿光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 氮化物 发光二极管 方法 | ||
1.一种降低III族氮化物发光二极管光衰的方法，该III族氮化物发光二极管外延结构从下向上的顺序依次为衬底、低温缓冲层、本征氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化镓层、P型接触层，其特征在于：在III族氮化物发光二极管外延结构中增加一层P型氮化铟镓层。
2.根据权利要求1所述一种降低III族氮化物发光二极管光衰的方法，其特征在于：P型氮化铟镓层增加在P型氮化镓层中，从下向上的顺序依次为衬底、低温缓冲层、本征氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化镓层、P型氮化铟镓层、P型氮化镓层、P型接触层。
3.根据权利要求1所述一种降低III族氮化物发光二极管光衰的方法，其特征在于：P型氮化铟镓层增加在P型氮化镓层与P型接触层之间，从下向上的顺序依次为衬底、低温缓冲层、本征氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化镓层、P型氮化铟镓层、P型接触层。
4.根据权利要求1所述一种降低III族氮化物发光二极管光衰的方法其特征在于：P型氮化铟镓层增加在电子阻挡层与P型氮化镓层之间，从下向上的顺序依次为衬底、低温缓冲层、本征氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化铟镓层、P型氮化镓层、P型接触层。
5.如权利要求1、2、3或4所述的低光衰III族氮化物发光二极管，其特征在于该发光二极管外延层中的P型氮化铟镓层为P型InyGa1-yN外延层，该P型InyGa1-yN外延层中In组份含量低于多量子阱层中的In组份含量。
6.如权利要求1、2、3或4所述的低光衰III族氮化物发光二极管，其特征在于：该发光二极管外延层中的P型氮化铟镓层为P型InyGa1-yN/GaN周期排布的超晶格，InyGa1-yN层中的In组份含量低于多量子阱层中的In组份含量。
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