[发明专利]发光二极管光源无效
申请号: | 200910300441.2 | 申请日: | 2009-02-17 |
公开(公告)号: | CN101806401A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 韦安琪;张乃文;赖志铭 | 申请(专利权)人: | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V19/00;F21V21/00;F21V9/14;H01L33/00;F21Y101/02 |
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地址: | 201600 上海市松江区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 光源 | ||
1.一种发光二极管光源,其包括支架和多个出光单元,所述支架具有承载面,所述承载面为曲面,所述承载面开设多个安装槽,多个出光单元封装于所述多个安装槽内,每个出光单元均包括发光二极管芯片和反射式偏光层,所述发光二极管芯片具有出光面,用于出射具有第一偏振态和第二偏振态的光线,所述反射式偏光层形成于发光二极管芯片的出光面一侧,用于将第一种偏振态的光线出射,而将第二种偏振态的光线反射。
2.如权利要求1所述的发光二极管光源,其特征在于,所述出光单元还包括反射层,所述安装槽具有底面,所述反射层设置于发光二极管芯片与所述底面之间,用于反射光线。
3.如权利要求2所述的发光二极管光源,其特征在于,所述出光单元还包括偏光转换层,所述偏光转换层设置于反射层与发光二极管芯片之间,其用于将第二偏振态的光线转换为第一偏振态的光线。
4.如权利要求1所述的发光二极管光源,其特征在于,所述出光单元还包括荧光膜,所述荧光膜设置于发光二极管芯片与反射式偏光层之间,用于配置发光二极管芯片的出光颜色。
5.如权利要求1所述的发光二极管光源,其特征在于,所述承载面为半圆环形面,所述支架为半圆环形或半圆柱形。
6.如权利要求1所述的发光二极管光源,其特征在于,所述支架为长条状,所述承载面沿支架的长度方向形成有多个凸起。
7.如权利要求6所述的发光二极管光源,其特征在于,所述多个安装槽分别开设于多个凸起。
8.如权利要求6所述的发光二极管光源,其特征在于,每个凸起均具有第一侧面和第二侧面,相邻的两个凸起中,一个凸起的第一侧面与另一凸起的第二侧面相邻接,所述多个安装槽分别开设于多个凸起的第一侧面。
9.如权利要求1所述的发光二极管光源,其特征在于,所述反射式偏光层形成于所述承载面并覆盖所述承载面。
10.如权利要求1所述的发光二极管光源,其特征在于,所述反射式偏光层覆盖所述安装槽。
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