[发明专利]高功率型发光二极管模块封装结构无效
申请号: | 200910301124.2 | 申请日: | 2009-03-25 |
公开(公告)号: | CN101546761A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 王家忠 | 申请(专利权)人: | 钰桥半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/00 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 何 为 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 发光二极管 模块 封装 结构 | ||
【权利要求1】一种高功率型发光二极管模块封装结构,至少包括基板、数发光二极管及绝缘壳体;该基板包含散热基座,该散热基座包括一平整的底座以及至少一凸起于该底座上的组件接合柱;该发光二极管固合于该组件接合柱上,并具有电极和电性接脚;该绝缘壳体封合于模块的基板上;其特征在于:所述基板还包括多层线路,该多层线路以该凸起的组件接合柱为核心压合于该底座上,且与该组件接合柱之间以绝缘层紧密接合;且该发光二极管上的电极或电性接脚与该多层线路电性相连接。
【权利要求2】如权利要求1所述的高功率型发光二极管模块封装结构,其特征在于:所述组件接合柱的表面与该多层线路的表面为共平形态。
【权利要求3】如权利要求1所述的高功率型发光二极管模块封装结构,其特征在于:所述组件接合柱的表面与该多层线路的表面为具有高度差的形态。
【权利要求4】如权利要求1所述的高功率型发光二极管模块封装结构,其特征在于:所述组件接合柱的表面小于该底座的表面。
【权利要求5】如权利要求1所述的高功率型发光二极管模块封装结构,其特征在于:所述底座的表面为平整无缝隙形态。
【权利要求6】如权利要求1所述的高功率型发光二极管模块封装结构,其特征在于:所述组件接合柱与该多层线路电性连接。
【权利要求7】如权利要求1所述的高功率型发光二极管模块封装结构,其特征在于:所述组件接合柱与该多层线路为电性不连接。
【权利要求8】如权利要求1所述的高功率型发光二极管模块封装结构,其特征在于:所述组件接合柱与该底座为一体成型。
【权利要求9】如权利要求1所述的高功率型发光二极管模块封装结构,其特征在于:所述组件接合柱与该底座非一体成型。
【权利要求10】如权利要求1所述的高功率型发光二极管模块封装结构,其特征在于:所述组件接合柱表面具有一金属薄膜垫,并为包含镍/金或镍/钯/金的数金属层。
【权利要求11】如权利要求1所述的高功率型发光二极管模块封装结构,其特征在于:所述多层线路包含一层或一层以上的线路。
【权利要求12】如权利要求1所述的高功率型发光二极管模块封装结构,其特征在于:所述多层线路包含以镭射电镀孔、机械电镀孔或印刷导电胶电性导通的上、下线路层。
【权利要求13】如权利要求1所述的高功率型发光二极管模块封装结构,其特征在于:所述散热基座由铜、镍、铁、铝、铜合金或碳化硅制成。
【权利要求14】如权利要求1所述的高功率型发光二极管模块封装结构,其特征在于:所述散热基座的材质为陶瓷,并为氮化铝或氧化铝的导热材料。
【权利要求15】如权利要求1所述的高功率型发光二极管模块封装结构,其特征在于:所述发光二极管为晶粒、或已完成封装的封装体。
【权利要求16】如权利要求1所述的高功率型发光二极管模块封装结构,其特征在于:所述绝缘壳体包含围绕在数个发光二极管与导线外围的固持件、以及填附于其内并覆盖于该发光二极管、导线及基板上的透明树脂材料。
【权利要求17】如权利要求16所述的高功率型发光二极管模块封装结构,其特征在于:所述固持件由塑料或金属制成。
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