[发明专利]开关电容积分器无效

专利信息
申请号: 200910301483.8 申请日: 2009-04-10
公开(公告)号: CN101621292A 公开(公告)日: 2010-01-06
发明(设计)人: 罗豪;韩雁;黄小伟;蔡坤明;张昊;韩晓霞 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H03K19/00 分类号: H03K19/00;H03K3/01;H03K3/356
代理公司: 贵阳中新专利商标事务所 代理人: 吴无惧;刘思宁
地址: 310027*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 开关 电容 积分器
【权利要求书】:

1.一种开关电容积分器,它包括

采样电容CS,补偿电容CC,积分电容CI,自举NMOS开关S1、NMOS开关S2、S4以及CMOS 开关S3、S5;其中自举NMOS开关S1位于信号输入端和采样电容CS之间;NMOS开关S2、S4分别 位于采样电容CS上下极板与共模电平之间;CMOS开关S3、S5分别位于补偿电容CC上下极板 与积分电容CI上极板之间;

其特征在于:它还包括

新型C类反向器(60),在现有技术C类反向器(30)的基础上新增了PMOS体电位调制器 (31)和NMOS体电位调制器(32),供电电压VDD略低于现有技术C类反向器(30)中两输入 管的阈值电压之和;

所述的现有技术C类反向器(30)是一个由一个PMOS管和一个NMOS管串联连接形成的简 单型反向器,或者是一个共源共栅型反向器;

所述的PMOS体电位调制器(31)包括PMOS晶体管M5以及电阻R1,且PMOS晶体管M5 的漏极连接电阻R1,电阻R1的另一端接电源VDDL;所述的NMOS体电位调制器(32)包括NMOS 晶体管M6以及电阻R2,且NMOS晶体管M6的漏极连接电阻R2,电阻R2的另一端接地GNDH

该开关电容积分器采用p1和p2两相不交叠时钟进行控制。

2.一种伪差分结构开关电容积分器,它包括

两个共模反馈电路(61),分别在积分器正向和负向支路形成共模反馈;

采样电容CS、补偿电容CC和积分电容CI以及NMOS开关、CMOS开关和自举NMOS开关;

其特征在于:它还包括

两个如权利要求1所述的新型C类反向器(60),分别位于积分器正向和负向支路,两个 新型C类反向器(60)差分对称,构成伪差分结构。

3.根据权利要求2所述的伪差分结构开关电容积分器,其特征在于:它在新型C类反向器 (60)的输入和输出端之间的反馈回路上采用包含积分电容CI和相关开关S5的采样保持支 路。

4.根据权利要求2所述的伪差分结构开关电容积分器,其特征在于:共模反馈电路(61) 包括

两个共模反馈电容CM,在p1相位位于补偿电容CC下极板与共模电平之间,而在p2相位 分别位于补偿电容CC下极板与积分器正负输出端之间;

自举NMOS开关S6、S9,分别位于共模反馈电容CM下极板与积分器正负输出端之间;

NMOS开关S7、S8,分别位于共模反馈电容CM下极板与共模电平之间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910301483.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top