[发明专利]开关电容积分器无效
申请号: | 200910301483.8 | 申请日: | 2009-04-10 |
公开(公告)号: | CN101621292A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | 罗豪;韩雁;黄小伟;蔡坤明;张昊;韩晓霞 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H03K19/00 | 分类号: | H03K19/00;H03K3/01;H03K3/356 |
代理公司: | 贵阳中新专利商标事务所 | 代理人: | 吴无惧;刘思宁 |
地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关 电容 积分器 | ||
1.一种开关电容积分器,它包括
采样电容CS,补偿电容CC,积分电容CI,自举NMOS开关S1、NMOS开关S2、S4以及CMOS 开关S3、S5;其中自举NMOS开关S1位于信号输入端和采样电容CS之间;NMOS开关S2、S4分别 位于采样电容CS上下极板与共模电平之间;CMOS开关S3、S5分别位于补偿电容CC上下极板 与积分电容CI上极板之间;
其特征在于:它还包括
新型C类反向器(60),在现有技术C类反向器(30)的基础上新增了PMOS体电位调制器 (31)和NMOS体电位调制器(32),供电电压VDD略低于现有技术C类反向器(30)中两输入 管的阈值电压之和;
所述的现有技术C类反向器(30)是一个由一个PMOS管和一个NMOS管串联连接形成的简 单型反向器,或者是一个共源共栅型反向器;
所述的PMOS体电位调制器(31)包括PMOS晶体管M5以及电阻R1,且PMOS晶体管M5 的漏极连接电阻R1,电阻R1的另一端接电源VDDL;所述的NMOS体电位调制器(32)包括NMOS 晶体管M6以及电阻R2,且NMOS晶体管M6的漏极连接电阻R2,电阻R2的另一端接地GNDH;
该开关电容积分器采用p1和p2两相不交叠时钟进行控制。
2.一种伪差分结构开关电容积分器,它包括
两个共模反馈电路(61),分别在积分器正向和负向支路形成共模反馈;
采样电容CS、补偿电容CC和积分电容CI以及NMOS开关、CMOS开关和自举NMOS开关;
其特征在于:它还包括
两个如权利要求1所述的新型C类反向器(60),分别位于积分器正向和负向支路,两个 新型C类反向器(60)差分对称,构成伪差分结构。
3.根据权利要求2所述的伪差分结构开关电容积分器,其特征在于:它在新型C类反向器 (60)的输入和输出端之间的反馈回路上采用包含积分电容CI和相关开关S5的采样保持支 路。
4.根据权利要求2所述的伪差分结构开关电容积分器,其特征在于:共模反馈电路(61) 包括
两个共模反馈电容CM,在p1相位位于补偿电容CC下极板与共模电平之间,而在p2相位 分别位于补偿电容CC下极板与积分器正负输出端之间;
自举NMOS开关S6、S9,分别位于共模反馈电容CM下极板与积分器正负输出端之间;
NMOS开关S7、S8,分别位于共模反馈电容CM下极板与共模电平之间。
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