[发明专利]一种抗电迁移的声表面波传感器的制作方法无效
| 申请号： | 200910301691.8 | 申请日： | 2009-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101552596A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 李冬梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H3/08;H03H9/145 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 迁移 表面波 传感器 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种抗电迁移的声表面波传感器的制作方法，其特征在于，首先制作铝膜换能器，然后在所述铝膜换能器的表面沉积一层氮化钛薄膜作为扩散阻挡层。
2.根据权利要求1所述的一种抗电迁移的声表面波传感器的制作方法，其特征在于，采用剥离方法或采用刻蚀方法制作所述所述铝膜换能器。
3.根据权利要求2所述的一种抗电迁移的声表面波传感器的制作方法，其特征在于，所述剥离方法具体为：首先在压电基体上涂覆一层光刻胶，并利用电子束直写技术或紫外曝光出换能器图形；然后在图形上采用电子束蒸发或磁控溅射技术沉积铝膜；最后剥离处于光刻胶上的铝膜后得到换能器图形。
4.根据权利要求3所述的一种抗电迁移的声表面波传感器的制作方法，其特征在于，选择LiNbO3或LiTaO3压电单晶制作所述压电基体。
5.根据权利要求1所述的一种抗电迁移的声表面波传感器的制作方法，其特征在于，采用射频溅射方法沉积所述氮化钛薄膜。
6.根据权利要求1所述的一种抗电迁移的声表面波传感器的制作方法，其特征在于，所述氮化钛薄膜的沉积厚度控制在10nm至30nm。
7.根据权利要求6所述的一种抗电迁移的声表面波传感器的制作方法，其特征在于，所述氮化钛薄膜的沉积厚度控制在20nm。
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