[发明专利]一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法无效
| 申请号： | 200910301768.1 | 申请日： | 2009-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101540287A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 徐静波;付晓君;张海英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zno 纳米 沟道 场效应 晶体管 制作方法 | ||
1.一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其制作方法步骤如下：
(1)在衬底上表面生长介质；
(2)在衬底背面制作背栅电极；
(3)在介质上表面制作底层源漏电极；
(4)对ZnO纳米线进行初步定位；
(5)通过纳米操控技术将ZnO纳米线放置在底层源漏电极上；
(6)在底层源漏电极上制作顶层源漏电极。
2.如权利要求1所述的背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述步骤(1)中的介质是在衬底上表面利用射频等离子体增强化学气相沉积技术生长SiO2所得到的栅氧介质。
3.如权利要求1所述的背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述步骤(2)中的背栅电极是在衬底背面蒸发金属制得的。
4.如权利要求1所述的背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述步骤(3)中的底层源漏电极是通过在介质上表面经过光刻、蒸发、剥离步骤制作电极金属得到的。
5.如权利要求1所述的背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述步骤(4)中对ZnO纳米线进行初步固定是通过交流双向介电电泳技术，其固定步骤如下，将ZnO纳米线材料放入异丙醇溶液内超声降解，再将含有ZnO纳米线的溶液滴于底层源漏电极之间的区域；在源漏电极两端施加交流电压，形成非均匀电场，并使电场内的中性微粒产生极化，ZnO纳米线在电场的作用下，由杂乱无序的排列逐渐变为较一致的取向，实现批量ZnO纳米线的可控驱动与初步定位。
6.如权利要求1所述的背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述步骤(5)中将ZnO纳米线放置在底层源漏电极上的步骤如下，在原子力显微镜下，利用探针精确操控指定的ZnO纳米线，将纳米线放至底层源漏电极之上，实现多根悬浮ZnO纳米线的规则排列，以及其与源漏电极的精确组装，并将多余纳米线拨离源漏电极。
7.如权利要求1所述的背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述步骤(6)的顶层源漏电极是依次进行光刻电极图形、蒸发金属、金属剥离制得的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
