[发明专利]一种电阻转变型存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种电阻转变型存储器，包括上电极、下电极以及位于所述上电极和下电极之间的电阻转变存储层，其特征在于，所述上电极和下电极均由功函数为4.5电子伏～6电子伏的材料制成，所述电阻转变存储层为由P型半导体二元金属氧化物制成的薄膜。

2.根据权利要求1所述的电阻转变型存储器，其特征在于，所述上电极由金属材料和金属合金材料中的一种或两种制成。

3.根据权利要求1所述的电阻转变型存储器，其特征在于，所述下电极由金属材料和金属合金材料中的一种或两种制成。

4.根据权利要求2或3所述的电阻转变型存储器，其特征在于，所述金属材料为Au、Co、Ir、Re、Pd或者Pt。

5.根据权利要求2或3所述的电阻转变型存储器，其特征在于，所述金属合金材料为Ti-Pt、Co-Ni或者Pt-Hf。

6.根据权利要求1所述的电阻转变型存储器，其特征在于，所述P型半导体二元金属氧化物为Cu2O、NiO、MoO2、MnO、MnO2、Bi2O3、VO2或者PdO。

7.根据权利要求1所述的电阻转变型存储器，其特征在于，所述上电极或者下电极的厚度各为10纳米～300纳米，所述电阻转变存储层的厚度为20纳米～200纳米。

8.一种电阻转变型存储器的制作方法，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：

步骤一：在衬底上形成功函数为4.5电子伏～6电子伏的下电极；步骤二：在所述下电极上形成一P型半导体二元金属氧化物薄膜作为电阻转变存储层；步骤三：在所述电阻转变存储层上形成功函数为4.5电子伏～6电子伏的上电极。

9.根据权利要求8所述的电阻转变型存储器的制作方法，其特征在于，所述下电极和上电极均为通过物理汽相沉积和化学汽相沉积形成，所述物理汽相沉积包括电子束蒸发或者溅射

10.根据权利要求8所述的电阻转变型存储器的制作方法，其特征在于，所述电阻转变存储层为通过电子束蒸发、等离子体增强化学汽相沉积或者原子层沉积形成。