[发明专利]一种二元金属氧化物阻变存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种二元金属氧化物阻变存储器的制作方法，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：

步骤一：在衬底上形成下电极；

步骤二：在所述下电极上形成金属掺杂的二元金属氧化物薄膜作为电阻转变存储层；

步骤三：在惰性气体的环境下并于100℃～1000℃下对所述电阻转变存储层进行退火处理；

步骤四：在所述电阻转变存储层上形成上电极。

2.根据权利要求1所述的二元金属氧化物阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述步骤二包括以下步骤：在所述下电极上形成第一金属氧化物薄膜；在所述第一金属氧化物薄膜上形成金属薄膜；在所述金属薄膜上形成第二金属氧化物薄膜。

3.根据权利要求2所述的二元金属氧化物阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述第一金属氧化物薄膜或者第二金属氧化物薄膜的材料为氧化锆、氧化铜、氧化铪、氧化镍、氧化铝或者氧化锌。

4.根据权利要求2所述的二元金属氧化物阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述金属薄膜由Cu、Au、Ag、Fe、Co、Ni、Cr和Ti中的一种或者几种组合制成。

5.根据权利要求1所述的二元金属氧化物阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述下电极或者上电极由金属材料、金属合金材料和导电金属化合物中的一种或者几种制成。

6.根据权利要求5所述的二元金属氧化物阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述金属材料为Cu、Au、Ag或者Pt。

7.根据权利要求5所述的二元金属氧化物阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述金属合金材料为Pt/Ti、Cu/Au、Au/Cr或者Cu/Al。

8.根据权利要求5所述的二元金属氧化物阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述导电金属化合物为TiN、TaN、ITO或者IZO。

9.一种二元金属氧化物阻变存储器，包括上电极、下电极以及位于所述上电极和下电极之间的电阻转变存储层，所述电阻转变存储层包括第一金属氧化物薄膜、第二金属氧化物薄膜以及设置于所述第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜之间的金属薄膜，其特征在于，所述第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜内具有金属缺陷。

10.根据权利要求9所述的二元金属氧化物阻变存储器，其特征在于，所述电阻转变存储层的厚度为20纳米～200纳米，所述金属薄膜的厚度为1纳米～10纳米。