[发明专利]一种恒定跨导偏置电路

权利要求书

1.一种恒定跨导偏置电路，其特征在于，所述偏置电路包括启动模块、偏置模块和反馈模块；

所述启动模块，与所述反馈模块相连，用于电路上电时启动电路；

所述偏置模块，与所述反馈模块相连，用于产生恒定的跨导；

所述反馈模块，用于形成负反馈；

所述启动模块包括第一晶体管、第二晶体管和第一电阻；所述第一晶体管的源极接电源电压，所述第一晶体管的栅极和漏极相连，所述第一晶体管的漏极与所述第一电阻的一端相连，所述第一电阻的另一端接地；所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的栅极相连，所述第二晶体管的漏极接地，所述第二晶体管的源极与所述反馈模块相连；

所述偏置模块包括第二电阻、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管；所述第三晶体管的源极接地，所述第三晶体管的漏极与所述第二电阻的一端相连，所述第二电阻的另一端与所述第五晶体管的漏极相连，所述第五晶体管的源极与所述第六晶体管的源极相连，所述第五晶体管的栅极与所述第三晶体管的漏极相连，所述第三晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极相连，所述第四晶体管的源极接地，所述第四晶体管的漏极与栅极相连，所述第六晶体管的栅极与所述第五晶体管的漏极相连，所述第六晶体管的漏极与所述第四晶体管的漏极相连，所述第六晶体管的源极与所述第五晶体管的源极相连，所述第七晶体管的源极与所述第六晶体管的源极相连，所述第七晶体管的漏极与栅极相连，所述第七晶体管的栅极与所述反馈模块相连，所述第八晶体管的源极接电源电压，所述第八晶体管的漏极与所述第七晶体管的源极相连，所述第八晶体管的栅极与所述反馈模块相连；

所述反馈模块包括第九晶体管、第十PMOS晶体管、第十一晶体管和第十二晶体管；所述第九晶体管的栅极与所述第四晶体管的漏极相连，所述第九晶体管的源极接地，所述第九晶体管的漏极与所述第十PMOS晶体管的漏极相连，所述第十PMOS晶体管的源极与所述第七晶体管的源极相连，所述第十PMOS晶体管的栅极与所述第七晶体管的栅极相连，所述第十一晶体管的栅极与所述第九晶体管的漏极相连，所述第十一晶体管的漏极接地，所述第十一晶体管的源极与所述第十二晶体管的漏极相连，所述第十二晶体管的栅极与漏极相连，所述第十二晶体管的栅极与所述第二晶体管的源极和所述第八晶体管的栅极相连，所述第十二晶体管的源极接电源电压。

2.如权利要求1所述的恒定跨导偏置电路，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为PMOS型晶体管；所述第一电阻为片上电阻。

3.如权利要求1所述的恒定跨导偏置电路，其特征在于，所述第三晶体管和第四晶体管为NMOS型晶体管；所述第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管为PMOS型晶体管；所述第二电阻为片外电阻；所述第三晶体管和第四晶体管的尺寸相同；所述第六晶体管的尺寸是所述第五晶体管尺寸的4倍。

4.如权利要求1所述的恒定跨导偏置电路，其特征在于，所述第九晶体管为NMOS型晶体管；所述第十一晶体管和第十二晶体管为PMOS型晶体管；所述第十PMOS晶体管、第五晶体管和第七晶体管的尺寸相同。