[发明专利]一种频率合成器芯片版图结构

权利要求书

1.一种频率合成器芯片版图结构，其特征在于，所述频率合成器芯片版图由第一版图区、第二版图区、第三版图区、第四版图区、第五版图区和第六版图区组成；所述第一版图区、第二版图区、第三版图区、第四版图区和第五版图区位于所述频率合成器芯片版图的中央；所述第一版图区与第二版图区相连，所述第二版图区与第五版图区相连，所述第二版图区与第四版图区相连，所述第四版图区与第三版图区相连，所述第四版图区与第五版图区相连；所述第六版图区平均分布在所述频率合成器芯片版图的四周和四个角上。

2.如权利要求1所述的频率合成器芯片版图结构，其特征在于，所述第一版图区为振荡器版图区，所述振荡器版图区由一个2.5圈电感和多个电容及晶体管组成，所述电容和晶体管以所述电感为中心轴对称分布。

3.如权利要求1所述的频率合成器芯片版图结构，其特征在于，所述第二版图区为振荡器缓冲版图区，所述振荡器缓冲版图区由一个5.5圈电感和多个电容及晶体管组成，所述电容和晶体管以所述电感为中心轴对称分布。

4.如权利要求1所述的频率合成器芯片版图结构，其特征在于，所述第三版图区为调制器版图区，所述调制器版图区通过数字流程自动产生布局布线，并且在其周围有深N阱隔离带。

5.如权利要求1所述的频率合成器芯片版图结构，其特征在于，所述第四版图区为分频器、电荷泵和鉴频鉴相器版图区，具体包括一个多模分频器版图、一个电荷泵版图和一个鉴频鉴相器版图，并且在其周围有深N阱隔离带。

6.如权利要求1所述的频率合成器芯片版图结构，其特征在于，所述第五版图区为基准版图区，具体包括电流基准版图和电压基准版图。

7.如权利要求1所述的频率合成器芯片版图结构，其特征在于，所述第六版图区为输入输出接口版图区，具体包括32个平行式输入输出接口版图和4个角连接输入输出接口版图；所述32个平行式输入输出接口版图平均分布在所述频率合成器芯片版图的四周，所述4个角连接输入输出接口版图位于所述频率合成器芯片版图的四个角上。