[发明专利]一种基于源极跟随器的缓冲器

权利要求书

1.一种基于源极跟随器的缓冲器，其特征在于，所述缓冲器包括：

伪差分输入级，用于接收差分输入信号；

交叉耦合共源级，与所述伪差分输入级相连，用于形成负电阻，抵消缓冲器的输出电阻；

电流源，与所述伪差分输入级相连，用于提供缓冲器支路电流；

电容负载，与所述伪差分输入级相连，用于作为缓冲器的输出负载。

2.如权利要求1所述的基于源极跟随器的缓冲器，其特征在于，所述伪差分输入级包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的漏极接地电压，所述第一晶体管的栅极接第一输入端，所述第一晶体管的源极和衬底接第一输出端；所述第二晶体管的漏极接地电压，所述第二晶体管的栅极接第二输入端，所述第二晶体的源极和衬底接第二输出端。

3.如权利要求2所述的基于源极跟随器的缓冲器，其特征在于，所述交叉耦合共源级包括第三晶体管和第四晶体管；所述第三晶体管的漏极与所述第一输出端相连，所述第三晶体管的栅极与所述第二输出端相连，所述第三晶体管的源极和衬底接地电压；所述第四晶体管的漏极与所述第二输出端相连，所述第四晶体管的栅极与所述第一输出端相连，所述第四晶体管的源极和衬底接地电压。

4.如权利要求2所述的基于源极跟随器的缓冲器，其特征在于，所述交叉耦合共源级包括第三晶体管和第四晶体管；所述第三晶体管的漏极与所述第一输出端相连，所述第三晶体管的栅极与所述第二输出端相连，所述第三晶体管的源极和衬底接电源电压；所述第四晶体管的漏极与所述第二输出端相连，所述第四晶体管的栅极与所述第一输出端相连，所述第四晶体管的源极和衬底接电源电压。

5.如权利要求3或4所述的基于源极跟随器的缓冲器，其特征在于，所述电流源包括第一电流源和第二电流源；所述第一电流源的输入端与电源电压相连，所述第一电流源的输出端与所述第一输出端相连；所述第二电流源的输入端与电源电压相连，所述第二电流源的输出端与所述第二输出端相连。

6.如权利要求3或4所述的基于源极跟随器的缓冲器，其特征在于，所述电容负载包括第一电容负载和第二电容负载；所述第一电容负载的一端与所述第一输出端相连，所述第一电容负载的另一端接到地电压；所述第二电容负载的一端与所述第二输出端相连，所述第二电容负载的另一端接到地电压。

7.如权利要求2所述的基于源极跟随器的缓冲器，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为PMOS型晶体管。

8.如权利要求3所述的基于源极跟随器的缓冲器，其特征在于，所述第三晶体管和第四晶体管为NMOS型晶体管。

9.如权利要求4所述的基于源极跟随器的缓冲器，其特征在于，所述第三晶体管和第四晶体管为PMOS型晶体管。