[发明专利]一种基于NMOS晶体管的90°移相器有效
申请号: | 200910303640.9 | 申请日: | 2009-06-25 |
公开(公告)号: | CN101599751A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 雷牡敏;张海英 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H03H11/18 | 分类号: | H03H11/18 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 | 代理人: | 王建国 |
地址: | 100029北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 nmos 晶体管 90 移相器 | ||
1.一种基于NMOS晶体管的90°移相器,由输入端(Vin)、第一二阶全 通滤波器、第二二阶全通滤波器、第一输出端(VoI)和第二输出端(VoQ) 构成;所述第一二阶全通滤波器一端与所述输入端(Vin)相连,另一端与 所述第一输出端(VoI)相连;所述第二二阶全通滤波器一端与所述输入端 (Vin)相连,另一端与所述第二输出端(VoQ)相连;所述第一二阶全通滤 波器和第二二阶全通滤波器是被并行驱动的;
其特征在于,所述第一二阶全通滤波器包括两个串联相连的第一NMOS 晶体管(M1)和第二NMOS晶体管(M2)、第一电容(C1A)、两个并联相连的 第二电容(C1B)和第一电阻(R1),所述两个串联相连的第一NMOS晶体管(M1) 和第二NMOS晶体管(M2)与所述第一电容(C1A)串联后,再与两个并联相 连的第二电容(C1B)和第一电阻(R1)相并联;所述第二二阶全通滤波器 包括两个串联相连的第三NMOS晶体管(M3)和第四NMOS晶体管(M4)、第 三电容(C2A)、两个并联相连的第四电容(C2B)和第二电阻(R2),所述两 个串联相连的第三NMOS晶体管(M3)和第四NMOS晶体管(M4)与所述第三 电容(C2A)串联后,再与两个并联相连的第四电容(C2B)和第二电阻(R2) 相并联;
所述移相器的最小工作频率为fmin,最大工作频率为fmax,移相器的 第一输出端(VoI)和第二输出端(VoQ)的相位差可以表示为:
当Q01=Q02=Q0,r2=fmax/fmin,f02=fmin×fmax时,所述第一输出端(VoI) 和第二输出端(VoQ)的相位差为90°,其中,Q0是全通滤波器的特征品质 因子,Q01为第一二阶全通滤波器的特征品质因子,Q02为第二二阶全通滤波器 的特征品质因子。
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