[发明专利]一种红外双波段减反射膜膜系及其镀制方法有效

申请号：	200910303847.6	申请日：	2009-06-30
公开（公告）号：	CN101620280A	公开（公告）日：	2010-01-06
发明（设计）人：	刘凤玉	申请（专利权）人：	中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所
主分类号：	G02B1/11	分类号：	G02B1/11;C23C14/24;C23C14/06;C23C14/14;C23C14/18
代理公司：	郑州睿信知识产权代理有限公司	代理人：	陈浩
地址：	471009***	国省代码：	河南;41
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摘要：
搜索关键词：	一种红外波段减反射膜及其方法
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【权利要求书】：

1.一种红外双波段减反射膜膜系，其特征在于，该膜系由6层或8层膜组成，由6层膜组成时，由内到外依次为Ge膜、ZnS膜、Ge膜、ZnS膜、YbF₃膜、ZnS膜，每层膜的光学厚度由内到外依次为895nm、306nm、422nm、1626nm、770nm、200nm；由8层膜组成时，由内到外依次为Ge膜、ZnS膜、Ge膜、ZnS膜、Ge膜、ZnS膜、YbF₃膜、ZnS膜，每层膜的光学厚度由内到外依次为130nm、20nm、2650nm、354nm、384nm、1520nm、1120nm、70nm。

2.根据权利要求1所述的红外双波段减反射膜膜系，其特征在于，该膜系为，由6层膜组成，由内到外依次为Ge膜、ZnS膜、Ge膜、ZnS膜、YbF₃膜、ZnS膜，每层膜的光学厚度由内到外依次为895nm、306nm、422nm、1626nm、770nm、200nm。

3.根据权利要求1或2所述的红外双波段减反射膜膜系，其特征在于，该膜系镀制的基底材料为锗。

4.一种镀制红外双波段减反射膜膜系的方法，其特征在于，工艺步骤如下：

（1）清洁被镀零件，对锗基底光学零件表面进行清洁处理；

（2）烘烤基底，真空度达到1×10^-2Pa时，加热被镀零件基底130℃~160℃，保温1～2小时，启动离子源清洗基底5～10分钟，关掉离子源；

（3）镀制Ge膜，锗膜料蒸镀时真空度1×10^-3Pa~5×10^-3Pa，淀积速率为0.4nm/s～0.6nm/s，控制膜厚895nm；

（4）镀制ZnS膜，ZnS膜料蒸镀时真空度1×10^-3Pa~5×10^-3Pa，淀积速率为0.7nm/s～1.0nm/s，控制膜厚306nm；

（5）镀制Ge膜，锗膜料蒸镀时真空度1×10^-3Pa~5×10^-3Pa，淀积速率为0.4nm/s～0.6nm/s，控制膜厚422nm；

（6）镀制ZnS膜，ZnS膜料蒸镀时真空度1×10^-3Pa~5×10^-3Pa，淀积速率为0.7nm/s～1.0nm/s，控制膜厚1626nm；

（7）镀制YbF₃膜，YbF₃膜料蒸镀时真空度1×10^-3Pa~5×10^-3Pa，淀积速率为0.6nm/s～0.8nm/s，控制膜厚770nm；

（8）镀制ZnS膜，ZnS膜料蒸镀时真空度1×10^-3Pa~5×10^-3Pa，淀积速率为0.7nm/s～1.0nm/s，控制膜厚200nm；

（9）真空室冷却至60℃以下取出镀制好膜系的光学零件。