[发明专利]提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法

权利要求书

1.一种提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法，其特征在于，包括：

对氮化镓基场效应晶体管进行清洗；

在氮气保护下对清洗后的所述氮化镓基场效应晶体管进行高温存储。

2.根据权利要求1所述的提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法，其特征在于：

所述对氮化镓基场效应晶体管进行清洗的步骤是室温条件下，在密闭容器里分别用丙酮和乙醇处理溶液对氮化镓基场效应晶体管进行清洗。

3.根据权利要求2所述的提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法，其特征在于：

所述丙酮和乙醇处理溶液处理时间分别为5至10分钟。

4.根据权利要求1所述的提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法，其特征在于，所述对氮化镓基场效应晶体管进行清洗的步骤之前还包括制作氮化镓基场效应晶体管，包括：

对制备氮化镓基场效应晶体管的材料进行光刻，形成光刻对准标记，蒸发标记金属和源漏极金属；

有源区离子隔离；

光刻制作栅线条，对栅进行表面的预处理；

蒸发栅金属，并金属布线；

晶圆减薄，划片成氮化镓基场效应晶体管。

5.根据权利要求4所述的提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法，其特征在于：

所述源漏极金属包括Ti、Al、Ni或Au。

6.根据权利要求4所述的提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法，其特征在于：

所述有源区离子隔离是采用包括注入氦原子或氮原子进行隔离，注入能量为20keV至70keV，注入剂量1e14至2e15cm2。

7.根据权利要求4所述的提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法，其特征在于：

所述栅蒸发前进行表面的预处理的步骤具体是采用包括盐酸氢氟酸的混合预处理溶液对氮化镓基场效应晶体管表面进行预处理，以形成肖特基接触；所述混合预处理溶液的溶剂配比为HF∶HCl∶H2O＝1∶4∶20；所述预处理的时间为1至2分钟，所述预处理在密闭容器中进行。

8.根据权利要求4所述的提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法，其特征在于：

所述蒸发栅金属，并进行金属布线是采用包括电子束蒸发的方法蒸发包括Ni或Au的栅金属，并采用包括Ti或Au的金属进行布线。

9.根据权利要求1至8任一项所述的提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法，其特征在于，所述在氮气保护下对清洗后的所述氮化镓基场效应晶体管进行高温存储的步骤是将氮化镓基场效应晶体管在氮气保护下进行包括350℃温度的高温存储。

10.根据权利要求1至8任一项所述的提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法，其特征在于，所述在氮气保护下对清洗后的所述氮化镓基场效应晶体管进行高温存储之前还包括：

将清洗后的氮化镓基场效应晶体管置于密闭的石英器皿中。