[发明专利]一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉

权利要求书

1.一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法，包括以下步骤：

a、将多晶硅材料装入石英坩埚中，封闭炉室，开循环水后抽真空；

b、通入氩气，控制氩气流量大于真空泵抽速，炉室气压稳定后，关闭真空泵，开排气阀，调整氩气流量，使炉室内保持压力为1.01～1.05个大气压；

c、逐渐加大加热功率，进行多晶硅的加热熔化，结晶，退火，冷却几个步骤，在此过程中炉室内压力保持1.01～1.05个大气压；

d、步骤c完成后，关闭氩气，取出多晶硅铸锭。

2.一种微正压状态下生长多晶硅锭的铸锭炉，包括炉室、位于炉室内的石英坩埚、石英坩埚外的加热器及连接炉室的充气系统，还包括一安装于排气口与炉室之间的超压自动放气阀及一安装于炉室壁中、位于炉室内、外部之间的双重防爆阀，其特征在于：所述的双重防爆阀包括与炉室通过管道相连的法兰，位于法兰外的阀门和夹设于法兰与阀门之间的铝箔，及设于炉壁上的弹簧，所述的阀门上具有防爆阀出气口。

3.如权利要求2所述的一种微正压状态下生长多晶硅锭的铸锭炉，其特征在于：所述的超压自动放气阀包括一压力传感器和一继电器控制电磁放气阀，所述的压力传感器可设定炉压的反馈信号，当炉室内超压时报警，通过继电器控制电磁放气阀自动放气，直到低于设定压力自动关闭。

4.如权利要求2所述的一种微正压状态下生长多晶硅锭的铸锭炉，其特征在于：当炉室内压力突然升高，弹簧来不及反应，阀门无法打开时，铝箔会从防爆阀出气口处被爆破，气体从防爆阀出气孔放出。