[发明专利]一种全集成冲击片点火器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200910304324.3 申请日: 2009-07-14
公开(公告)号: CN101619954A 公开(公告)日: 2010-01-06
发明(设计)人: 施志贵;席仕伟;杨黎明;张茜梅;刘娟;唐海林 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
主分类号: F42C19/12 分类号: F42C19/12;B81C1/00;B81C3/00;B81C5/00
代理公司: 中国工程物理研究院专利中心 代理人: 何勇盛
地址: 621900四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成 冲击 点火器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种全集成冲击片点火器,含有玻璃反射片(7)、金属桥箔(9)、硅飞片(5)和硅加速膛(1),其特征在于:

玻璃反射片(7)位于所述点火器的底部,金属桥箔(9)设置在玻璃反射片(7)上方,并与硅飞片(5)紧密连接,硅加速膛(1)设置在硅飞片(5)上方,硅飞片(5)和硅加速膛(1)之间设置有二氧化硅绝缘材料层(4)。

2.一种全集成冲击片点火器制备方法,其特征在于包括步骤:

a)用溅射台在硼硅玻璃片上溅射铜金属层;

b)在金属层上用光刻工艺制备出金属桥箔(9)形状的光刻胶掩模,用三氯化铁溶液去除不需要的铜金属,形成金属桥箔(9);

c)采用SOI基片用光刻工艺制备出键合台阶(10)形状的光刻胶掩模,用电感耦合反应离子刻蚀机刻蚀出键合台阶(10);

d)用光刻工艺制备出焊盘(8Ⅰ、8Ⅱ)形状的光刻胶掩模,用电感耦合反应离子刻蚀机刻蚀出焊盘(8Ⅰ、8Ⅱ)释放区,刻蚀至SOI基片的二氧化硅层;

e)采用衬底键合机将硼硅玻璃片和SOI基片静电键合在一起,其中金属桥箔(9)和键合台阶(10)对准;

f)在键合后的SOI基片的衬底硅层表面溅射铝膜(2);铝膜(2)表面光刻并腐蚀形成硅加速膛(1)形状的铝掩模;用电感耦合反应离子刻蚀机刻蚀出硅加速膛(1),刻蚀至SOI的二氧化硅层;

g)用砂轮划片机划片,将覆盖在焊盘(8Ⅰ、8Ⅱ)上的SOI基片去除,并将点火器芯片分割成型。

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