[发明专利]太阳能装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200910304584.0 | 申请日： | 2009-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101964369A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 余泰成;黄雍伦 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H01L31/052;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能模组，其包括：
陶瓷基板；
若干个III-V族太阳能芯片，其设置在所述陶瓷基板上用于将太阳能转化为电能；
封装体，其覆盖所述陶瓷基板和所述III-V族太阳能芯片，所述封装体对应所述III-V族太阳能芯片的位置形成有至少一个菲涅尔透镜，太阳光通过所述菲涅尔透镜并会聚至所述III-V族太阳能芯片上。
2.如权利要求1所述的太阳能装置，其特征在于：所述陶瓷基板上设有容置腔，所述III-V族太阳能芯片位于所述容置腔内。
3.如权利要求1所述的太阳能装置，其特征在于：每一个所述III-V族太阳能芯片的面积大于等于1平方毫米且小于等于9平方毫米。
4.如权利要求1至3任一项所述的太阳能装置，其特征在于：所述III-V族太阳能芯片呈阵列方式设置在所述陶瓷基板上。
5.如权利要求4所述的太阳能装置，其特征在于：所述III-V族太阳能芯片是氮化镓太阳能芯片、砷化镓太阳能芯片、锑化镓太阳能芯片或磷化铟太阳能芯片。
6.如权利要求5所述的太阳能装置，其特征在于：所述封装体的材料为硅胶、环氧树脂或聚甲基丙烯酸甲酯。
7.如权利要求5所述的太阳能装置，其特征在于：所述III-V族太阳能芯片通过粘着层设置在陶瓷基板上。
8.一种太阳能装置的制造方法，其包括：
于III-V族半导体基板上生长若干III-V族光电转换单元以形成III-V族太阳能芯片半成品，所述基板具有相对的第一表面和第二表面，所述III-V族光电转换单元设置在所述第一表面，所述第一表面和第二表面之间的距离定义为所述基板的厚度；
采用激光切割方法切除部分所述基板以减少所述基板的厚度；
将切除部分所述基板的III-V族太阳能芯片半成品切割成若干III-V族太阳能芯片，每一个所述III-V族太阳能芯片包含一个所述III-V族光电转换单元；
将所述III-V族太阳能芯片设置在陶瓷基板上；
形成覆盖所述陶瓷基板和所述III-V族太阳能芯片的封装体；
在所述封装体对应所述III-V族太阳能芯片的位置形成菲涅尔透镜。
9.如权利要求8所述的太阳能装置的制造方法，其特征在于：采用分子束外延技术生长所述III-V族光电转换单元。
10.如权利要求8所述的太阳能装置的制造方法，其特征在于：所述基板的厚度的减小50％至90％。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司，未经鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910304584.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于虽存在运动仍获得清晰条形码图像的采集系统
- 下一篇：传感器模块
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
