[发明专利]射频功率放大器有效
| 申请号： | 200910304778.0 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101615892A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 张宗楠;张海英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F3/189 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 功率放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种射频功率放大器，其特征在于，包括：
用于信号转换的变压器线圈，所述变压器线圈包括次级线圈和位于所述次级线圈内的至少第一初级线圈和第二初级线圈；以及
用于功率放大的射频功率放大单元，所述射频功率放大单元与所述第一初级线圈和第二初级线圈分别连接，并且位于所述第一初级线圈和第二初级线圈的内部。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一初级线圈与第二初级线圈分别与所述次级线圈采用侧耦合结构。
3.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大单元包括至少两个差分信号输出端口，所述射频功率放大单元通过所述差分信号输出端口分别连接所述第一初级线圈和第二初级线圈。
4.根据权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一初级线圈、所述第二初级线圈和所述次级线圈为并联的三层金属走线，所述三层金属走线通过过孔连接。
5.根据权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器还包括可变电容，所述可变电容的两端连接所述第一初级线圈和第二初级线圈。
6.根据权利要求5所述的射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器还包括隔离机构，所述隔离机构位于所述变压器线圈与射频功率放大单元之间。
7.根据权利要求6所述的射频功率放大器，其特征在于，所述隔离机构为至少两圈n阱保护环和p阱保护环。
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