[发明专利]一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀剂及腐蚀方法

权利要求书

1.一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀剂，其特征在于，所述腐蚀剂按其重量百分比计包括0.22％～4.83％的氢氟酸、5.31％～58.14％的无机酸和37.03％～94.47％的有机溶剂，所述无机酸包括盐酸、硫酸和磷酸中的一种或几种，所述有机溶剂包括无水乙醇和异丙醇中的一种或两种。

2.一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀方法，其特征在于，所述腐蚀方法包括将HfSiON高K栅介质材料形成于Si衬底、Si/SiO₂界面层或者Si/SiON界面层上后，采用等离子体对其上的HfSiON高K栅介质材料进行处理，再将其浸泡在如权利要求1所述的腐蚀剂中进行湿法腐蚀。

3.根据权利要求2所述的HfSiON高K栅介质材料的腐蚀方法，其特征在于，产生所述等离子体的气体为N₂或者Ar。

4.根据权利要求2所述的HfSiON高K栅介质材料的腐蚀方法，其特征在于，所述采用等离子体进行处理的功率为100瓦～250瓦，压强为100毫托～300毫托，气体流量为50标况毫升每分～200标况毫升每分。