[发明专利]发光二极管模组无效
| 申请号： | 200910304963.X | 申请日： | 2009-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101988679A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 张海卫;刘宜三;陈庆仲 | 申请（专利权）人： | 富准精密工业（深圳）有限公司;鸿准精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | F21V5/04 | 分类号： | F21V5/04;F21V17/00;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 模组 | ||
1.一种发光二极管模组，其包括一发光二极管及一与该发光二极管搭配的透镜，其特征在于：该透镜具有一与发光二极管配合的定位结构。
2.如权利要求1所述的发光二极管模组，其特征在于：该定位结构包括一沿垂直于发光二极管轴线的方向对发光二极管定位的初级定位结构。
3.如权利要求2所述的发光二极管模组，其特征在于：该初级定位结构包括一可将发光二极管定位在透镜内不同的方位的子定位结构。
4.如权利要求3所述的发光二极管模组，其特征在于：该子定位结构包括二交叉的第一容置空间，发光二极管具有一可收容于每一第一容置空间内的底板。
5.如权利要求4所述的发光二极管模组，其特征在于：发光二极管包括一基座，该初级定位结构包括一收容基座的第二容置空间。
6.如权利要求4所述的发光二极管模组，其特征在于：该第二容置空间的相对二侧壁与发光二极管的基座外侧周面抵顶，另外相对二侧壁与发光二极管的基座外侧周面隔开。
7.如权利要求5所述的发光二极管模组，其特征在于：该定位结构还包括一沿发光二极管轴线对发光二极管定位的次级定位结构。
8.如权利要求7所述的发光二极管模组，其特征在于：该次级定位结构包括一抵顶发光二极管底板顶面的第一台阶。
9.如权利要求8所述的发光二极管模组，其特征在于：该第一台阶位于第一容置空间及第二容置空间之间。
10.如权利要求8所述的发光二极管模组，其特征在于：该次级定位结构还包括一抵顶发光二极管基座顶面的第二台阶。
11.如权利要求10所述的发光二极管模组，其特征在于：该第二容置空间位于第一台阶及第二台阶之间。
12.如权利要求1至11任一项所述的发光二极管模组，其特征在于：该透镜开设一空穴，发光二极管完全收容于该空穴内。
13.如权利要求12所述的发光二极管模组，其特征在于：该发光二极管包括一封罩，该封罩与透镜的内侧壁面隔开。
14.如权利要求1所述的发光二极管模组，其特征在于：该透镜沿第一方向对称，沿垂直于第一方向的第二方向不对称，该第一方向及第二方向共同定义出的平面垂直于发光二极管轴线。
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