[发明专利]一种低卤素含量的导电银浆有效
申请号: | 200910305761.7 | 申请日: | 2009-08-18 |
公开(公告)号: | CN101650982A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 高官明;刘侦德;李夏林;李清湘;黄建民;吴涛;伏志宏;周少强;林兴铭;程玉才;黄培德;何其飞;阎耿 | 申请(专利权)人: | 深圳市中金岭南科技有限公司 |
主分类号: | H01B1/00 | 分类号: | H01B1/00;H01B1/02;H01B1/22 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所 | 代理人: | 胡吉科 |
地址: | 518122广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 卤素 含量 导电 | ||
1.一种低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述低卤素含量的导电银浆包括:
聚酯树脂 1-25%,
银粉 20-55%,
醋酸丁酸纤维素 0.1-9%,
聚氨酯丙烯酸树脂 0.1-8%,
有机硅流平剂 0-6%,
石墨粉 0-8%,
特慢型783溶剂 20-60%;
其中所述聚酯树脂为由多元醇和多元酸酯化合而成,所述银粉为超细片状银粉,银粉的平均粒度2-3μm,松装密度0.6-0.8g/ml。
2.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述聚酯树脂的含量为8%。
3.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述银粉的含量为50%。
4.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述醋酸丁酸纤维素的含量为6%。
5.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述聚氨酯丙烯酸树脂的含量为1%。
6.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述有机硅流平剂的含量为0.5%。
7.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述石墨粉的平均粒径为12μm的石墨粉,含量为3.5%。
8.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述特慢型783溶剂的含量为31%。
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