[发明专利]一种低卤素含量的导电银浆有效

专利信息
申请号: 200910305761.7 申请日: 2009-08-18
公开(公告)号: CN101650982A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 高官明;刘侦德;李夏林;李清湘;黄建民;吴涛;伏志宏;周少强;林兴铭;程玉才;黄培德;何其飞;阎耿 申请(专利权)人: 深圳市中金岭南科技有限公司
主分类号: H01B1/00 分类号: H01B1/00;H01B1/02;H01B1/22
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所 代理人: 胡吉科
地址: 518122广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 卤素 含量 导电
【权利要求书】:

1.一种低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述低卤素含量的导电银浆包括:

聚酯树脂               1-25%,

            银粉                   20-55%,

            醋酸丁酸纤维素         0.1-9%,

            聚氨酯丙烯酸树脂       0.1-8%,

            有机硅流平剂           0-6%,

            石墨粉                 0-8%,

            特慢型783溶剂         20-60%;

其中所述聚酯树脂为由多元醇和多元酸酯化合而成,所述银粉为超细片状银粉,银粉的平均粒度2-3μm,松装密度0.6-0.8g/ml。

2.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述聚酯树脂的含量为8%

3.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述银粉的含量为50%

4.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述醋酸丁酸纤维素的含量为6%

5.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述聚氨酯丙烯酸树脂的含量为1%

6.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述有机硅流平剂的含量为0.5%

7.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述石墨粉的平均粒径为12μm的石墨粉,含量为3.5%

8.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述特慢型783溶剂的含量为31%

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