[发明专利]一种本征隔离结构太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号： | 200910306216.X | 申请日： | 2009-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101714586A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 闻震利;王文静;洪紫州;郑智雄 | 申请（专利权）人： | 南安市三晶阳光电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/028;H01L31/20 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 362000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 结构 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种本征隔离结构太阳能电池，其特征在于：它依次包括铝背场/P型晶体硅衬底/本征非晶硅薄膜/N型非晶硅薄膜/透明导电薄膜/银栅线，其中P型晶体硅衬底由冶金法制得。
2.如权利要求1所述的一种本征隔离结构太阳能电池的制造方法，其特征在于包括如下步骤：
步骤一，采用PECVD工艺在P型晶体硅表面沉积一层本征非晶硅薄膜和一层N型非晶硅薄膜；
步骤二，采用溅射技术在N型非晶硅薄膜上沉积透明导电薄膜；
步骤三，采用溅射或蒸发镀膜的方法在P型晶体硅背面制作铝背场；
步骤四，采用丝网印刷的方法在透明导电薄膜上制作Ag电极并烘烤；
上述所有步骤都是在低于500℃的温度下进行的。
3.一种本征隔离结构太阳能电池，其特征在于：它依次包括铝背场/N型晶体硅衬底/本征非晶硅薄膜/P型非晶硅薄膜/透明导电薄膜/银栅线，其中N型晶体硅衬底由冶金法制得。
4.如权利要求3所述的一种本征隔离结构太阳能电池的制造方法，其特征在于包括如下步骤：
步骤一，采用PECVD工艺在N型晶体硅表面沉积一层本征非晶硅薄膜和一层P型非晶硅薄膜；
步骤二，采用溅射技术在P型非晶硅薄膜上沉积透明导电薄膜；
步骤三，采用溅射或蒸发镀膜的方法在N型晶体硅背面制作铝背场；
步骤四，采用丝网印刷的方法在透明导电薄膜上制作Ag电极并烘烤；
上述所有步骤都是在低于500℃的温度下进行的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
