[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200910306472.9 | 申请日： | 2009-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102005443A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 骆世平 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/00;H01L21/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构，其包括封装体和位于该封装体内的发光单元，其特征在于，该发光单元包括一个第一碳纳米管薄膜电极层、位于该第一碳纳米管薄膜电极层上的至少两个发光二极管芯片以及一个位于该至少两个发光二极管芯片上且透明的第二碳纳米管薄膜电极层。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一碳纳米管薄膜电极层的厚度大于该第二碳纳米管薄膜电极层的厚度。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，每个该发光二极管芯片包括一个具有微结构的出光面，该第二碳纳米管薄膜电极层位于该出光面上。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该微结构为形成在该出光面的多个凹槽，该多个凹槽的内壁分布有该第二碳纳米管薄膜电极层。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管封装结构还包括一个形成在该第二碳纳米管薄膜电极层上的荧光层。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该至少两个发光二极管芯片均为蓝光发光二极管芯片。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管封装结构还包括一个形成在该第一碳纳米管薄膜电极层外表面的光反射层。
8.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一碳纳米管薄膜电极层及该第二碳纳米管薄膜电极层均包括两个碳纳米管薄膜层，该两个碳纳米管薄膜层的碳纳米管的排列方向大致相互垂直。
9.一种发光二极管封装结构的制造方法，其包括：
提供一个发光二极管芯片结构，其包括一个基板及一个位于该基板上的发光二极管芯片层；
蚀刻该发光二极管芯片层以形成至少两个发光二极管芯片；
在该至少两个发光二极管芯片的表面形成一个透明的第二碳纳米管薄膜电极层；
去除该基板；
在该至少两个发光二极管芯片的另一个表面形成第一碳纳米管薄膜电极层；及
封装该发光二极管芯片结构。
10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，在蚀刻以形成该至少两个发光二极管芯片前还包括：在该发光二极管芯片层的表面形成微结构。
11.如权利要求9所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，在封装该发光二极管芯片结构前还包括：在该第一碳纳米管薄膜电极层的外表面形成一个光反射层。
12.如权利要求9所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，该第一碳纳米管薄膜电极层及该第二碳纳米管薄膜电极层均包括两个碳纳米管薄膜层，该两个碳纳米管薄膜层的碳纳米管的排列方向大致相互垂直。
13.一种发光二极管封装结构，其包括封装体和位于该封装体内的发光单元，其特征在于，该发光单元包括一个第一碳纳米管薄膜电极层、位于该第一碳纳米管薄膜电极层上的一个发光二极管芯片以及一个位于该发光二极管芯片上且透明的第二碳纳米管薄膜电极层。
14.如权利要求13所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一碳纳米管薄膜电极层的厚度大于该第二碳纳米管薄膜电极层的厚度。
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