[发明专利]一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于AlGaN的全波段紫外探测器，其特征在于，包括蓝宝石衬 底，以及在所述蓝宝石衬底上依次排列生长的AlN缓冲层、Al_0.65Ga_0.35N层、 第一Al_0.45Ga_0.55N层、第二Al_0.45Ga_0.55N层、第一Al_0.2Ga_0.8N层、第二Al_0.2Ga_0.8N 层、第一GaN层和第二GaN层，在所述Al_0.65Ga_0.35N层上设置有第一上电极， 在所述第二Al_0.45Ga_0.55N层上设置有第二上电极，在所述第二GaN层上设置有 第三上电极，其中，当所述Al_0.65Ga_0.35N层为p型Al_0.65Ga_0.35N层时，所述第二 Al_0.45Ga_0.55N层为重掺杂n型Al_0.45Ga_0.55N层，所述第二Al_0.2Ga_0.8N层为重掺杂p 型Al_0.2Ga_0.8N层，所述第二GaN层为重掺杂n型GaN层，所述第一Al_0.45Ga_0.55N 层为i型Al_0.45Ga_0.55N层，所述第一Al_0.2Ga_0.8N层为i型Al_0.2Ga_0.8N层，所述第 一GaN层为i型GaN层；当所述Al_0.65Ga_0.35N层为n型Al_0.65Ga_0.35N层时，第二 Al_0.45Ga_0.55N层为p型Al_0.45Ga_0.55N层，所述第二Al_0.2Ga_0.8N层为重掺杂n型 Al_0.2Ga_0.8N层，所述第二GaN层为重掺杂p型GaN层，所述第一Al_0.45Ga_0.55N 层为i型Al_0.45Ga_0.55N层，所述第一Al_0.2Ga_0.8N层为i型Al_0.2Ga_0.8N层，所述第 一GaN层为i型GaN层。

2.根据权利要求1所述的基于AlGaN的全波段紫外探测器，其特征在 于，所述AlN缓冲层的厚度为100纳米～300纳米，所述Al_0.65Ga_0.35N层的厚 度为500纳米～700纳米，所述第一Al_0.45Ga_0.55N层的厚度为150纳米～200 纳米，所述第二Al_0.45Ga_0.55N层的厚度为200纳米～250纳米，所述第一 Al_0.2Ga_0.8N层的厚度为150纳米～200纳米，所述第二Al_0.2Ga_0.8N层的厚度为 100纳米～150纳米，所述第一GaN层的厚度为150纳米～200纳米，所述第 二GaN层的厚度为50纳米～100纳米。