[发明专利]放电电路

权利要求书

1.一种放电电路，其与一个功率因素校正电路的输出端电连接，且该功率因素校正电路的输出端定义为第一节点，该功率因素校正电路中具有一个滤波电容，该放电电路包括：

一个第一二极管，其正极外接一个电压；

一个光耦合器，其具有一个初级面与一个次级面，该初级面的输入端与该第一二极管的负极电连接，该次级面的输入端与外接电压电连接；

一个第二二极管，其正极与该初级面的输出端电连接；

一个第一电容，其正极与该第二二极管的负极电连接，其负极接地；

一个放电单元，其包括一个MOSFET以及一个放电电阻，该MOSFET的栅极与该第一电容的正极电连接，该MOSFET的源极接地，该MOSFET的漏极通过该放电电阻与第一节点电连接；

一个NPN型三极管，其基极与该次级面的输出端电连接，该NPN型三极管的发射极接地，该NPN型三极管的集电极与该第一电容的正极电连接。

2.如权利要求1所述的放电电路，其特征在于，该放电电路进一步包括稳压二极管，其设置在该第一二极管与该光耦合器的初级面的输入端之间，且该稳压二极管的负极与该第一二极管的负极电连接。

3.如权利要求1所述的放电电路，其特征在于，该放电电路进一步包括一个分压电路，其设置在该光耦合器的初级面的输出端与第二二极管之间。

4.如权利要求3所述的放电电路，其特征在于，该分压电路包括一个第一电阻、一个第二电阻以及一个第三电阻，该第一电阻与该第二电阻串联设置在该光耦合器的初级面的输出端与第二二极管之间，该第一电阻与该第二电阻相接处定义为第二节点，该第三电阻的一端电连接该第二节点，另一端接地。

5.如权利要求4所述的放电电路，其特征在于，该分压电路进一步包括一个第一电容，该第一电容与该第三电阻并联。

6.如权利要求1所述的放电电路，其特征在于，该NPN型三极管的基极与该光耦合器的次级面的输出端之间设置有一个第四电阻。

7.如权利要求1所述的放电电路，其特征在于，该光耦合器的次级面的输出端通过一个第五电阻接地。

8.如权利要求1所述的放电电路，其特征在于，该NPN型三极管集电极与该第一电容的正极之间设置有一个第六电阻。

9.如权利要求8所述的放电电路，其特征在于，该第六电阻与该NPN型三极管的集电极的相连接处定义为第三节点，该放电电路进一步包括一个第七电阻，该第七电阻设置于该第三节点与该MOSFET的栅极之间。