[发明专利]黄光余辉材料及其制备方法和使用它的LED照明装置

权利要求书

1.一种黄光余辉材料，其化学组成为：

aY₂O₃·bAl₂O₃·cSiO₂:mCe·nB·xNa·yP，a，b，c，m，n，x，y为系数，1≤a≤2，2≤b≤3，0.001≤c≤1，0.0001≤m≤0.6，0.0001≤n≤0.5，0.0001≤x≤0.2，0.0001≤y≤0.5。

2.根据权利要求1所述的黄光余辉材料，其特征在于：所述化学组成中1.3≤a≤1.8，2.3≤b≤2.7，0.001≤c≤0.5，0.01≤m≤0.3，0.01≤n≤0.3，0.01≤x≤0.1，0.01≤y≤0.5。

3.根据权利要求2所述的黄光余辉材料，其特征在于：所述化学组成中

1.3≤a≤1.5，2.3≤b≤2.5，0.01≤c≤0.5，0.01≤m≤0.3，0.1≤n≤0.3，0.02≤x≤0.1，0.2≤y≤0.3。

4.根据权利要求3所述的黄光余辉材料，其特征在于：所述黄光余辉材料化学组成为：

1.45Y₂O₃·2.5Al₂O₃·0.01SiO₂:0.24Ce·0.05B·0.1Na·0.2P或

1.45Y₂O₃·2.5Al₂O₃·0.5SiO₂:0.01Ce·0.3B·0.02Na·0.3P。

5.根据权利要求1～4任一项所述的黄光余辉材料，其特征在于：其激发波长在200～500纳米之间，最强发射波长在530～570纳米之间。

6.根据权利要求5所述的黄光余辉材料，其特征在于：所述黄光余辉材料的热释发光波峰在530～570纳米之间，热释光峰温位置在60℃～350℃之间。

7.制备权利要求1～4任一项所述的黄光余辉材料的方法，其特征在于由以下步骤完成：根据摩尔比称取各元素的氧化物或在高温加热时能够产生氧化物的物质为原料，混合均匀后于还原气氛下，在1200～1700℃下烧结而得。

8.根据权利要求7所述的制备黄光余辉材料的方法，其特征在于：烧结温度为1400～1600℃，烧结时间为2～5小时。

9.权利要求1～4任一项所述的黄光余辉材料在制备LED发光装置中的用途。

10.一种LED发光装置，包括LED芯片和发光粉，其特征在于：所述发光粉为权利要求1～4任一项所述的黄光余辉材料；所述LED芯片发射光波长为240～500nm。