[发明专利]基于激光冲击效应的微坑阵列加工方法无效
申请号: | 200910307367.7 | 申请日: | 2009-09-21 |
公开(公告)号: | CN101653802A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 姚振强;胡永祥 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | B21D26/06 | 分类号: | B21D26/06;B23K26/00 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 激光 冲击 效应 阵列 加工 方法 | ||
1.一种基于激光冲击效应的微坑阵列加工方法,其特征在于,包括以下步骤:
第一步、将待加工工件的表面贴上吸收层后安装到工作台,然后在吸收层上施加约束层;
第二步、开启激光器输出光束进行冲击,在待加工工件的表面生成若干冲击点实现微坑阵列的激光冲击加工。
2.根据权利要求1所述的基于激光冲击效应的微坑阵列加工方法,其特征是,所述的吸收层为聚氯乙烯胶带,该吸收层粘贴在待加工工件表面。
3.根据权利要求1或2所述的基于激光冲击效应的微坑阵列加工方法,其特征是,所述的吸收层的厚度为100μm。
4.根据权利要求1所述的基于激光冲击效应的微坑阵列加工方法,其特征是,所述的约束层为施加在吸收层表面的流动水膜。
5.根据权利要求1或4所述的基于激光冲击效应的微坑阵列加工方法,其特征是,所述的约束层是指通过水流喷嘴施加在吸收层表面形成的流动水膜。
6.根据权利要求1所述的基于激光冲击效应的微坑阵列加工方法,其特征是,所述的激光器输出光束是指:设置激光输出功率密度大于1GW/cm2、脉冲宽度5~30ns。
7.根据权利要求1或6所述的基于激光冲击效应的微坑阵列加工方法,其特征是,所述的激光器是指高能短脉冲激光器。
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