[发明专利]一种微波单片集成电路中的金属布线层结构及其制备方法有效
| 申请号： | 200910307518.9 | 申请日： | 2009-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101661921A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 蒲颜;罗卫军;陈晓娟;魏珂;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 微波 单片 集成电路 中的 金属 布线 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种微波单片集成电路中的金属布线层结构，所述金属布线层结构 设置在第一Si3N4层(106)和第二Si3N4层(107)之间，其特征在于，所述金属 布线层结构包括第一Ti层(101)、设置在所述第一Ti层(101)上的Ni层 (102)、设置在所述Ni层(102)上的第二Ti层(103)、设置在所述第二Ti层 (103)上的Au层(104)、以及设置在所述Au层(104)上的第三Ti层(105)。
2.根据权利要求1所述的微波单片集成电路中的金属布线层结构，其 特征在于，所述第一Si3N4层(106)的厚度为2000～4000所述第二Si3N4层(107)的厚度为500～2000所述第一Ti层(101)的厚度为200～400 所述Ni层(102)的厚度为500～1000所述第二Ti层(103)的厚度为 200～400所述Au层(104)的厚度为2000～4000所述第三Ti层(105) 的厚度为200～400
3.一种微波单片集成电路中的金属布线层结构的制备方法，其特征在 于，所述制备方法包括以下步骤：
步骤10：在第二Si3N4层(107)上旋涂光刻胶后，并通过光刻、显影形 成金属布线层图案；
步骤20：通过电子束蒸发的方法依次形成第一Ti层(101)、Ni层(102)、 第二Ti层(103)、Au层(104)和第三Ti层(105)；
步骤30：将光刻胶上的第一Ti层(101)、Ni层(102)、第二Ti层(103)、 Au层(104)和第三Ti层(105)进行剥离形成金属布线层结构；
步骤40：在所述金属布线层结构上形成第一Si3N4层(106)。
4.根据权利要求3所述的微波单片集成电路中的金属布线层结构的制 备方法，其特征在于，所述第一Si3N4层(106)的厚度为2000～4000所 述第二Si3N4层(107)的厚度为500～2000所述第一Ti层(101)的厚度 为200～400所述Ni层(102)的厚度为500～1000所述第二Ti层 (103)的厚度为200～400所述Au层(104)的厚度为2000～4000所述第三Ti层(105)的厚度为200～400
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