[发明专利]电容式触控面板

说明书

技术领域

本发明涉及一种触控面板，特别涉及一种具高产能、高触控灵敏度之电容式触控面板结构。

背景技术

触控面板(Touch Panel)逐渐普遍应用于电子装置中，特别是可携式或手持式电子装置，例如个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)或移动电话。触控面板的触控原理主要有电阻式、电容式和光学式。传统电阻式触控面板的结构主要包括两层氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)薄膜，并以间隙子(Spacer)隔离这两层ITO薄膜。当手指按压造成ITO薄膜的形变时，使得两层ITO薄膜于触碰点互相接触。通过侦测触碰点的电压值改变，因而得以定位出触碰点。由于电阻式触控面板需通过触控面板的形变以达成定位，因此会造成接触磨损和耐用度降低等缺点。

传统电容式触控面板主要包括两层ITO薄膜和一绝缘层所形成的电容结构。当手指触碰到触控面板时，会干扰两层ITO薄膜间的电场，因而改变电容结构的电容值。通过驱动电路和读取电路以侦测电容值的改变，因而得以定位出触碰点。图1A显示一种传统电容式触控面板的图案化(Patterned)ITO薄膜，其中，上层ITO薄膜10A的菱形图案与下层ITO薄膜10B的菱形图案是互相交错的。对于图1A的触控面板结构，必须对上、下层ITO薄膜10A、10B分别进行驱动才能得到触碰点。然而，当有两触碰点同时发生时，将无法确定所有触碰点。图1B显示另一种传统电容式触控面板的图案化ITO薄膜，其中，上层ITO薄膜12A的长形图案与下层ITO薄膜12B的长形图案互相重叠处可定义出多个侦测区。通过驱动其中一层ITO薄膜，可侦测得到一或多个触碰点。

无论是图1A或图1B所示的传统电容式触控面板，其ITO薄膜的图案化主要是使用半导体制造技术，例如掩膜、曝光、刻蚀等技术。由于制造工艺中必须繁复进行多次的步骤，因此，造成触控面板良率的无法提升，也无法降低制造成本和制造时间。再者，受到制造工艺分辨率的限制，传统触控面板的触控精确度也无法突破瓶颈。

鉴于此，近来因而有使用纳米碳管薄膜或称为碳纳米管(Carbon Nano Tube，CNT)薄膜以取代ITO薄膜的作法。CNT薄膜具电阻抗异向性(Anisotropic Impedance)，也即，其在某一方向具最小的电阻抗，而在垂直的另一方向具最大的电阻抗。图1C显示使用CNT薄膜的电容式触控面板，其主要包括上层CNT薄膜14A、下层CNT薄膜14B及其之间的绝缘层(图未示)。其中，上层CNT薄膜14A的最小电阻抗方向是垂直于下层CNT薄膜14B的最小电阻抗方向。图1C所示的CNT电容式触控面板的产能(Throughput)远较图1A、图1B所示的ITO电容式触控面板来得大，然而，当手指触碰到触控面板时，两层CNT薄膜14A、14B之间的电场却不易受到干扰，造成电容值的变化不够大，因而无法提升触碰灵敏度(Sensitivity)。

发明内容

为了解决现有技术中触控面板的良率较低、制造成本较高、制造时间较长、触控精确度和触碰灵敏度较低的问题，有必要提供一种良率较高、制造成本较低、制造时间较短、触控精确度和触碰灵敏度较高的触控面板。

一种电容式触控面板，其包括具电阻抗异向性的第一导电膜、具多个导电结构的第二导电膜和位于第一导电膜和第二导电膜之间的绝缘层。其中，第二导电膜的导电结构的导电方向是垂直于第一导电膜的最小电阻抗方向。

另外，一种电容式触控面板，其包括一纳米碳管薄膜、一导电膜和一绝缘层。该导电膜具有图案化的多个长形导电结构，该多个长形导电结构互为平行且互相分隔一预设距离。该绝缘层位于该纳米碳管薄膜和该导电膜之间。其中该导电膜的长形导电结构的导电方向是垂直于该纳米碳管薄膜的最小电阻抗方向。

附图说明

图1A显示一种传统电容式触控面板的图案化ITO薄膜。

图1B显示另一种传统电容式触控面板的图案化ITO薄膜。

图1C显示使用CNT薄膜的电容式触控面板。

图2A显示本发明第一实施例的电容式触控面板的上视图。

图2B显示本发明第一实施例的电容式触控面板的分解图。

图2C显示电容式触控面板沿图2A的剖面线2C/2C’的剖面图。

图2D显示将第一导电膜和第二导电膜分别耦接至驱动电路和读取电路，用以定位出触碰点。

图3显示另一种触控面板的单边制造工艺。

图4A显示触碰点定位的一种具体实施作法。

图4B显示本实施例的扫描时序图。

图5A例示触控面板未经触碰的一般读取信号波形图。