[发明专利]一种麻疯树的叶盘直接再生方法

权利要求书

1.一种麻疯树叶盘的直接再生方法，其特征在于，包括：

A、选取温室中一年生的麻疯树第2、3、4、5片展开叶片作为外植体，进 行表面消毒处理后切成5-10mm²大小；

B、将外植体叶盘近轴端朝上接种于培养基中直接诱导不定芽；培养基为 MS基本培养基添加30g·L^-1蔗糖、4-8g·L^-1琼脂、0.5-1mg·L^-1TDZ、0.5mg·L^-1IBA、 1.5mg·L^-1BA、2-5mg·L^-1硝普钠；培养方式：先暗培养10-14d，然后转换至光照 条件下培养，温度为25±2℃，光照强度为45-55μmol·m^-2·s^-1，光照16h·d^-1，培 养14-16d；

C、将不定芽进行延长培养，再进行生根培养后移栽。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述A步中选取第4片展开 叶片作为外植体；B步中MS基本培养基添加30g·L^-1蔗糖、5g·L^-1琼脂、 1mg·L^-1TDZ、0.5mg·L^-1IBA、1.5mg·L^-1BA、2mg·L^-1硝普钠；培养方式：先暗培 养10-14d，然后转换至光照条件下培养，温度为25℃，光照强度为50μmol·m^-2·s^-1， 光照16h·d^-1，培养2周。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，A步中所述的消毒处理是采 用15-25％的NaClO消毒外植体5-30min。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，C步中所述延长培养所用的 培养基为MS基本培养基添加30g·L^-1蔗糖、4-8g·L^-1琼脂、0.05～0.8mg·L^-1BA和 0.01-0.02mg·L^-1IBA；培养方式：光照培养18-22天，温度为23±2℃，光照强度 为45-55μmol·m^-2·s^-1，光照16h·d^-1。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，C步中所述的生根培养所用 的培养基是在MS基本培养基中添加30g·L^-1蔗糖、4-8g·L^-1琼脂和 0.08～0.5mg·L^-1IBA。