[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其包括：一个导热基板及依次在导热基板表面形成的半导体层、透明电极层和电极接触垫，该半导体层包括在导热基板上依次层叠设置的p型半导体层、活性层及n型半导体层，透明电极层和电极接触垫设置在n型半导体层的表面，在n型半导体层与活性层相对的表面设置有多个蚀刻孔洞，在最靠近电极接触垫的地方蚀刻孔洞的分布密度最高，沿远离电极接触垫的方向上蚀刻孔洞的分布密度逐渐变小且蚀刻孔洞的尺寸也逐渐变小，在p型半导体层与活性层相对的表面上设置有电流阻挡层，该电流阻挡层的图案与蚀刻孔洞的图案成互补关系。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述电极接触垫设置在该发光二极管芯片的中心位置，在电极接触垫的周围分布有多个由蚀刻孔洞所围成的圆环形图案，沿远离该电极接触垫的方向，相邻圆环型图案之间的距离越大。

3.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述半导体层的制作材料包括氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓。

4.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，该发光二极体进一步包括一个定位孔，该定位孔从p型半导体层延伸到n型半导体层，该定位孔用于将电流阻挡层与蚀刻孔洞的图案精确对位。

5.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，该发光二极体进一步包括一个具有高反射率的反射层，该反射层设置于导热基板与p型半导体层之间。

6.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，该电流阻挡层由二氧化硅材料制成。

7.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，电流阻挡层的厚度为p型半导体层厚度的1/3～2/3，蚀刻孔洞的深度为n型半导体层厚度的1/3～2/3。

8.一种发光二极管芯片的制作方法，其步骤为：

提供一个蓝宝石基板；

在蓝宝石基板上依次形成n型半导体层、活性层及p型半导体层；

在p型半导体层表面蚀刻出电流阻挡层所需的图案，然后在图案中填充电绝缘介质，形成电流阻挡层；

在p型半导体层表面沉积一层反射层；

将p型半导体层与导热基板结合，并移除蓝宝石基板；

对n型半导体层与活性层相对的表面进行蚀刻，形成所需的蚀刻空洞，蚀刻孔洞所形成的图案与电流阻挡层的图案成互补关系；

在n型半导体层表面制作透明电极层；

在透明电极层表面制作电极接触垫。

9.如权利要求8所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，采用电镀的方式在p型半导体层形成一金属镍层作为导热基板。

10.如权利要求8所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，该制作方法包括制作一个定位孔，该定位孔从p型半导体层延伸到n型半导体层。