[发明专利]缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法

权利要求书

1.缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法，其特征在于缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法如下：一、将基体放入真空室靶台上，在真空室真空度为2×10-3Pa的条件下将基体加热至200℃，然后在氩气流量为10sccm～20sccm、射频功率为300W、基体负偏压为800V、脉冲频率为10kHz、脉冲宽度为30μs的条件下对基体表面进行溅射清洗20min；二、在氩气流量为6sccm、氮气流量为2sccm、沉积气压为0.56Pa、基体沉积偏压为复合偏压的条件下转动真空室的靶台，在基体表面交替沉积TiN层和Cu-Zn金属层，至膜层总厚度为0.1μm～10μm，其中膜层中第一层和最外层为TiN层，每次在基体表面沉积TiN层的量平均为1.0×1016～2.0×1017个分子/cm2，每次在基体表面沉积金属层的量平均为1.0×1016～1.3×1017个原子/cm2，金属层中Zn的原子百分比为0％～10％，Cu的原子百分比为90％～100％，得到缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜；其中步骤二所述复合偏压中直流电压为80V、耦合脉冲电压为200V、脉冲频率为10kHz、脉冲宽度为30μs；步骤二中Ti靶采用直流磁控溅射电源，溅射电流为0.6A，Cu-Zn靶采用磁控溅射射频电源，射频功率为300W。

2.根据权利要求1所述的缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法，其特征在于步骤一所述的基体为金属、陶瓷或塑料。

3.根据权利要求2所述的缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法，其特征在于所述的金属为不锈钢、铝合金、钛合金、铜合金或低碳钢。

4.根据权利要求2所述的缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法，其特征在于所述的陶瓷为氧化铝、氧化锆或碳化硅。

5.根据权利要求2所述的缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法，其特征在于所述的塑料为聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯或丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物。

6.根据权利要求1、2、3、4或5所述的缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中所述Ti靶中Ti的质量含量为99.99％。

7.根据权利要求6所述的缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中所述的Cu-Zn靶中Cu的质量含量为62％，Zn的质量含量为38％，所述的Cu为H62黄铜。

8.根据权利要求1、2、3、4、5或7所述的缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中膜层总厚度为1.59μm。

9.根据权利要求8所述的缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中每次在基体表面沉积TiN层的量平均为1.7×1016个分子/cm2。

10.根据权利要求1、2、3、4、5、7或9所述的缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中每次在基体表面沉积金属层的量平均为3.3×1016个原子/cm2。