[发明专利]一种采用结型场效应晶体管的输入浪涌保护装置

权利要求书

1. 一种输入浪涌保护装置，其特征在于，包括保护用结型场效应晶体管，所述结型场效应晶体管的漏极接收输入电压，源极耦接至下游装置的输入端，且其栅极被钳位于预设值，当输入电压小于一拐点电压时，结型场效应晶体管的栅源电压等于零；当输入电压大于拐点电压时，栅源电压的绝对值随输入电压的增大而增大。

2. 如权利要求1 所述的输入浪涌保护装置，其特征在于，所述预设值被齐纳二极管钳位。

3. 如权利要求1 所述的输入浪涌保护装置，其特征在于，所述下游装置为直流直流转换器。

4. 如权利要求2 所述的输入浪涌保护装置，其特征在于，还包括电阻，所述电阻耦接于所述源极和所述栅极之间。

5. 如权利要求2 所述的输入浪涌保护装置，其特征在于，还包括电阻，所述电阻耦接于所述漏极和所述栅极之间。

6. 如权利要求3 所述的输入浪涌保护装置，其特征在于，所述预设值由所述直流直流转换器的使能引脚设置。

7. 如权利要求1 所述的输入浪涌保护装置，其特征在于所述预设值被设置为等于所述下游装置的优选输入电压。

8. 一种结型场效应晶体管，包括： 

N+层，其位于第一表面上，作为所述结型场效应晶体管的漏极；

N-外延层，其位于所述第一表面的相反表面上且与所述N+层相接触；

至少两个P 掺杂区，所述P 掺杂区彼此隔离并形成栅极，所述P 掺杂区从所述相反表面注入所述N-外延层内；

至少一个N+接触区，所述N+接触区位于所述N-外延层内且从所述相反表面形成源极，所述N+接触区位于所述至少两个P 掺杂区之间且与所述至少两个P 掺杂区隔离；

其中，所述漏极连接输入电压，所述栅极被钳位至预设值且所述源极连接至下游装置，当输入电压小于一拐点电压时，结型场效应晶体管的栅源电压等于零；当输入电压大于拐点电压时，栅源电压的绝对值随输入电压的增大而增大。

9. 如权利要求8 所述的结型场效应晶体管，其特征在于所述结型场效应晶体管的侧表面与所述第一表面电连接在一起作为所述漏极。

10. 如权利要求8 所述的结型场效应晶体管，其特征在于所述下游装置为直流直流转换器。

11. 如权利要求10 所述的结型场效应晶体管，其特征在于所述预设值通过将所述栅极连接至所述直流-直流转换器的使能引脚设置。

12. 如权利要求8 所述的结型场效应晶体管，其特征在于所述第一表面通过导电材料连接至裸焊盘。

13. 如权利要求12 所述的结型场效应晶体管，其特征在于所述导电材料为银环氧树脂。

14. 如权利要求8 所述的结型场效应晶体管，还包括用于所述P 掺杂区的金属接触和所述N+接触区的金属接触，其中所述P 掺杂区通过与之接触的金属接触彼此电连接在一起作为所述栅极，所述N+接触区通过与之接触的另一金属接触彼此电连接在一起作为所述源极。

15. 一种结型场效应晶体管，包括：

N+层，所述N+层用作所述结型场效应晶体管的漏极；

N-层，位于所述N+层上；

至少两个P 型区，所述至少两个P 型区形成于所述N-层内且与所述N+层隔离，所述至少两个P 型区形成所述结型场效应晶体管的栅极；

N+区，所述N+区形成于所述两个P 型区之间且形成所述结型场效应晶体管的源极；

其中，所述漏极连接输入电压，所述栅极被钳位至预设值且所述源极连接至下游装置，当输入电压小于一拐点电压时，结型场效应晶体管的栅源电压等于零；当输入电压大于拐点电压时，栅源电压的绝对值随输入电压的增大而增大。

16. 如权利要求15 所述的结型场效应晶体管，其特征在于，所述N+层形成于衬底上。