[发明专利]一种低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤一，将纯度为4N～5.5N的硅片进行清洗和表面织构化处理，使硅片表面形成金字塔结构绒面，形成的金字塔结构绒面的塔底的平均宽度为15～25μm、金字塔结构绒面的平均高度为1～4μm；

步骤二，采用等离子增强化学气相沉积，通入1∶10～10∶1的硅烷和氩气，通过控制时间镀膜厚为0.1-10μm的本征硅膜；

步骤三，将高温晶化炉抽至10^-2帕以上真空，硅片放入700～1100℃高温晶化炉的石英管中，以6～10mm/min的速度进入炉腔，保温2-60min，以6～10mm/min的速度离开炉腔，晶化后的硅片进行清洗；

步骤四，清洗后的硅片再经过晶体硅太阳能电池的常规工艺进行处理，主要包括扩散、等离子刻蚀、去磷硅玻璃、等离子增强化学气相沉积法镀氮化硅膜和丝网印刷工艺，制成低纯度单晶硅太阳能电池。

2.如权利要求1所述的一种低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述步骤一中对硅片进行清洗和表面织构化处理采用碱溶液，或碱溶液+异丙醇。