[发明专利]一种有机二极管器件及其制备方法无效
| 申请号： | 200910310007.2 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102074653A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘明;王宏;姬濯宇;商立伟;刘兴华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有机 二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机二极管器件，包括衬底、阳极、有机半导体层和阴极，其特征在于：所述阳极和所述有机半导体层之间还设置至少一层有机自组装层，所述有机自组装层由金属有机络合物制成；所述阳极由除金以外的阳极金属或合金制成。
2.根据权利要求1所述的有机二极管器件，其特征在于：所述金属有机络合物为Cu-TCNQ、Met-TCNQ或Ag-TCNQ。
3.根据权利要求1或2所述的有机二极管器件，其特征在于：所述有机半导体层由有机半导体材料制成。
4.根据权利要求3所述的有机二极管器件，其特征在于：所述有机半导体材料为酞菁化合物、并五苯或P3HT。
5.根据权利要求4所述的有机二极管器件，其特征在于：所述有机自组装层的厚度为10nm-300nm。
6.一种有机二极管器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底上制作阳极；
在所述阳极上制作有机自组装层；
在所述有机自组装层上制作有机半导体层；
在所述有机半导体层上制作阴极；
所述有机自组装层由金属有机络合物制成；所述阳极由除金以外的阳极金属或合金制成。
7.根据权利要求6所述的有机二极管器件的制备方法，其特征在于：所述金属有机络合物为Cu-TCNQ、Met-TCNQ或Ag-TCNQ。
8.根据权利要求6或7所述的有机二极管器件的制备方法，其特征在于：所述有机半导体层由有机半导体材料制成。
9.根据权利要求8所述的有机二极管器件的制备方法，其特征在于：所述有机半导体材料为酞菁化合物、并五苯或P3HT。
10.根据权利要求9所述的有机二极管器件的制备方法，其特征在于：所述有机自组装层的厚度为10nm-300nm。
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