[发明专利]电子装置外壳及其制作方法

权利要求书

1.一种电子装置外壳，其包括一基体及一不透光的遮蔽层，该基体包括一内表面及与该内表面相对的外表面，其特征在于：该内表面一侧形成有若干凹槽，所述凹槽具有所需图案的造型，该基体由透光材质制成，该透光材料主要由重量百分含量为70％～80％的氧化铝、10％～20％的氧化硅、5％～10％的氧化铬及0.3％～0.6％的氮化硅组成，该遮蔽层形成于该内表面除所述凹槽以外的区域。

2.如权利要求1所述的电子装置外壳，其特征在于：该氧化铝的重量百分含量为76.5％；氧化硅的重量百分含量为16.3％；氧化铬的重量百分含量为6.7％；氮化硅的重量百分含量为0.5％。

3.如权利要求1所述的电子装置外壳，其特征在于：该透光材料中还添加有颜料。

4.如权利要求1所述的电子装置外壳，其特征在于：该遮蔽层为一不透光的油墨层或不透光的油漆层。

5.一种电子装置外壳的制作方法，包括如下步骤：

按重量百分含量分别为70％～80％、10％～20％、5％～10％及0.3％～0.6％配制氧化铝、氧化硅、氧化铬及氮化硅的粉末混合料；

将所述粉末混合料与粘结剂混合均匀得到膏状混合料；

对该膏状混合料进行造粒处理；

将该造粒后的膏状混合料注入一模具内形成一生坯，该生坯包括一内表面及与内表面相对的外表面，该内表面上形成有若干凹槽，所述凹槽具有所需图案的造型；

对生坯进行脱脂处理，以去除该粘结剂得到一脱脂坯；

对该脱脂胚进行烧结获得一基体；

于该内表面除所述凹槽以外的区域形成一不透光的遮蔽层。

6.如权利要求5所述的电子装置外壳的制作方法，其特征在于：该氧化铝的重量百分含量为76.5％；氧化硅的重量百分含量为16.3％；氧化铬的重量百分含量为6.7％；氮化硅的重量百分含量为0.5％。

7.如权利要求5所述的电子装置外壳的制作方法，其特征在于：该透光材料中还添加有颜料。

8.如权利要求5所述的电子装置外壳的制作方法，其特征在于：该遮蔽层为一不透光的油墨层或不透光的油漆层。

9.如权利要求5所述的电子装置外壳的制作方法，其特征在于：该生坯成型步骤中，该造粒后的膏状混合料注入该模具的压力为20～200MPa，该模具的温度为95～105℃。

10.如权利要求5所述的电子装置外壳的制作方法，其特征在于：所述烧结温度为1000～1200℃。