[发明专利]一种陶瓷球加工工艺

权利要求书

1.一种陶瓷球加工工艺，其特征在于：所述的加工工艺包括以下步骤

（1）粗磨：对陶瓷材料进行粗磨加工，加工时需先加入磨料及相应的磨剂，使粗磨加工后陶瓷球表面粗糙度Ra≤0.4μm，球形误差和批直径变动量小于等于2μm；所述的磨料首先选用粒度为80～90#的立方氮化硼或碳化硅，当留量为0.1～0.15mm时换用粒度为W28～W40的立方氮化硼、碳化硅或氧化铝磨料，所述的磨剂为普通硬磨液和水，二者配比为1：1～1：2；

（2）精磨：粗磨加工后的陶瓷球在加入磨料及相应的磨剂后进行精磨加工，使精磨加工后陶瓷球表面粗糙度Ra≤0.1μm，球形误差和批直径变动量小于0.5μm；

（3）初研：对精磨后的陶瓷球进行初研加工，使初研加工后陶瓷球应达到G5～G10级精度；

（4）抛光：对陶瓷球进行降噪抛光处理，并检测陶瓷球的振动值，将振动值控制在30～33dB。

2.根据权利要求1所述的一种陶瓷球加工工艺，其特征在于：所述的步骤（1）之前还包括Si₃N₄陶瓷材料性能评价，具体评价的性能包括球坯外形、密度、硬度、内部组织、孔隙度、压碎载荷、断裂韧性、表面缺陷和荧光探伤。

3.根据权利要求1或2所述的一种陶瓷球加工工艺，其特征在于：所述的步骤（1）之后还包括目视外观检测，具体方法为在粗磨工序后对球坯采用全部目视外观，剔除粗加工造成的各类缺陷。

4.根据权利要求3所述的一种陶瓷球加工工艺，其特征在于：所述的步骤（4）之后还包括陶瓷球成品全部显微外观检查，具体方法为在双目变倍体视显微镜下，通过外观检查台进行全部显微外观检查。

5.根据权利要求1或4所述的一种陶瓷球加工工艺，其特征在于：步骤（2）中所述的磨料为W3.5～W5的立方氮化硼、碳化硅或氧化铝磨料，所述的磨剂为普通硬磨液和水，二者配比为1：1～1：2；步骤3）中所使用的磨具为3000～5000#金刚石树脂砂轮，所使用的磨剂为SZ-l树脂砂轮水剂冷却液；步骤（4）中所使用的磨料为W0.1～W1的金刚石研磨膏，所使用的磨剂为H-2000抛光精研液。

6.根据权利要求1或4所述的一种陶瓷球加工工艺，其特征在于：步骤（4）中加工量为0.003～0.005mm。