[发明专利]场效应晶体管制造方法无效
| 申请号： | 200910311265.2 | 申请日： | 2009-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101719471A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 李滨;李诚瞻;刘新宇;魏珂;陈晓娟 | 申请（专利权）人： | 四川龙瑞微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 李顺德 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
1.场效应晶体管制造方法，包括以下步骤：
步骤A、制作管芯完成器件；
步骤B、涂覆保护层保护晶圆正面和管芯，将晶圆正面倒扣粘贴在衬托上；
步骤C、将扣上晶圆的衬托放入等离子体刻蚀机腔体内，利用等离子体对衬底进行刻蚀减薄；
步骤D、将晶圆从衬托上取下；
步骤E、采用背金技术，在衬底上形成管芯的背金结构；
所述管芯为AlGaN/GaN HEMT管芯，所述衬底材料为碳化硅或蓝宝石。
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管制造方法，其特征在于：
步骤B所述保护层为正性光刻胶。
3.根据权利要求2所述的场效应晶体管制造方法，其特征在于：
所述正性光刻胶厚度4μm。
4.根据权利要求2或3所述的场效应晶体管制造方法，其特征在于：
涂覆保护层后在100℃左右热板上烘烤5分钟。
5.根据权利要求1所述的场效应晶体管制造方法，其特征在于：
步骤B中将晶圆粘贴在衬托上采用石蜡作为粘贴剂。
6.根据权利要求1所述的场效应晶体管制造方法，其特征在于：
步骤C所述的等离子体为SF6等离子体。
7.根据权利要求6所述的场效应晶体管制造方法，其特征在于：
步骤C中刻蚀减薄速率控制在300～600nm/min。
8.根据权利要求1所述的场效应晶体管制造方法，其特征在于：
步骤C中刻蚀减薄至衬底厚度为150μm。
9.根据权利要求1所述的场效应晶体管制造方法，其特征在于：
步骤E所述的背金结构为Ti/W/Au三层结构，背金结构厚度为3～4μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
