[发明专利]改进的硅片激光切割减薄工艺

说明书

技术领域

本发明涉及硅片的激光切割技术领域，具体为改进的硅片激光切割减薄工艺。

背景技术

目前硅片的切割主要采用机械式金刚石切割方式，在这种切割方式下，金刚石刀片以每分钟3万转到4万转的高转速切割晶圆的街区部分，同时，承载着晶圆的工作台以一定的速度沿刀片与晶圆接触点的切线方向呈直线运动，切割晶圆产生的硅屑被去离子水冲走，切割的硅片越厚，其切割速度就越慢，为了提高产能，往往先对硅片作背面研磨，使硅片厚度减薄至相应厚度，再对硅片进行切割；另外，机械金刚石切割硅片时，其粉尘污染严重。近几年，硅片激光切割由于其零切割道损失、无水制程、无粉尘、无静电、切割速度快等优点逐步取代以往机械式金刚石切割方式，激光切割是以硅片表面为基准聚焦在一定深度，在硅片内部形成裂纹，然后通过扩张贴布将硅片分开，但是，当硅片进行背面研磨后会出现厚度不均的问题，硅片表面最厚处与最薄处会出现5μm～10μm左右的厚度差，激光从空气进入硅片会产生折射，硅片的厚度差会导致激光实际聚焦点产生偏移，从而影响硅片切割质量。虽然通过硅片背面研磨后再进行背面抛光可以控制硅片厚度，但是此方法会大大增加生产成本；也可以先对硅片表面形状作测量然后切割时再作补偿，但是这样就需要增加激光扫描次数，从而降低了硅片切割产能。此外，硅片背面研磨后，由于其厚度变薄，会提高其在以后工序中的破片率，增加生产成本。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了改良的硅片激光切割减薄工艺，其能保证硅片的切割质量，并能提高产能、降低生产成本。

其技术方案是这样的，其包括背面研磨、激光切割工序，其特征在于：首先对硅片进行所述激光切割工序，然后再对硅片进行背面研磨。

其进一步特征在于：所述的硅片激光切割，其以硅片表面为基准，激光聚焦在一定深度，在硅片内部形成裂纹，然后通过扩张贴布将硅片分开。

本发明的改良的硅片激光切割减薄工艺，其先对硅片进行激光切割再对硅片背面进行研磨，能有效避免由于硅片表面厚度差而引起的硅片切割误差问题，也能保证硅片达到一定的厚度，保证了硅片的精确切割，不需要进行硅片的背面抛光或者是测量补偿操作，节省了操作工序，提高了产能，降低了生产成本；另外，先对硅片进行激光切割再进行背面研磨，能有效降低硅片的破片率，进一步降低生产成本。

具体实施方式

改良的硅片激光切割减薄工艺，其包括背面研磨和激光切割工序，其先对硅片进行激光切割，然后再对硅片进行背面研磨。其中，硅片的激光切割，其以硅片表面为基准，激光聚焦在一定深度，在硅片内部形成裂纹，然后通过扩张贴布将硅片分开。