[发明专利]集成化的MIMO系统基站多天线和多工器模组装置无效
申请号: | 200910311747.8 | 申请日: | 2009-12-18 |
公开(公告)号: | CN101740869A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 曾国勇;董树荣;程维维;孙光照;赵焕东;王一雷 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01Q13/00 | 分类号: | H01Q13/00;H01Q13/08 |
代理公司: | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人: | 吴无惧;刘思宁 |
地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成化 mimo 系统 基站 天线 多工器 模组 装置 | ||
1.一种集成化的MIMO系统基站多天线和多工器模组装置,其特征在于:它包括
贴片天线组,由一组贴片天线构成,用于接收空间讯号;
共面波导馈电电路,即供电电路,用于提供电源,和天线进行阻抗匹配;
高介电常数的微波陶瓷介质基板,用于承载贴片天线组和共面波导馈电电路,为薄膜体声腔谐振器FBAR集成多工器粘合载体;
共面波导馈电电路接地层,为共面波导的铺地层,用于隔离共面波导信号的干扰,为高介电常数的微波陶瓷介质基板增加屏蔽底层;
薄膜体声腔谐振器FBAR集成多工器,是多个薄膜体声腔谐振器FBAR双工器的集成,用于把各种制式和频段的讯号进行隔离,保证宽带通信;
所述的贴片天线组和共面波导馈电电路位于高介电常数的微波陶瓷介质基板的顶面,共面波导馈电电路接地层和薄膜体声腔谐振器FBAR集成多工器位于高介电常数的微波陶瓷介质基板的底面,其中薄膜体声腔谐振器FBAR集成多工器和共面波导馈电电路接地层在共面波导馈电电路正下方位置;
所述的贴片天线组通过共面波导馈电电路与薄膜体声腔谐振器FBAR集成多工器连接。
2.根据权利要求1所述的集成化的MIMO系统基站多天线和多工器模组装置,其特征在于:所述的FBAR集成多工器包含有2个以上的FBAR双工器。
3.根据权利要求1所述的集成化的MIMO系统基站多天线和多工器模组装置,其特征在于:所述的贴片天线组包含有2个以上的贴片天线。
4.根据权利要求1或2所述的集成化的MIMO系统基站多天线和多工器模组装置,其特征在于:所述的FBAR双工器包含有FBAR滤波器和匹配电路;FBAR滤波器包含FBAR接收滤波器、FBAR发射滤波器。
5.根据权利要求4所述的集成化的MIMO系统基站多天线和多工器模组装置,其特征在于:所述的FBAR滤波器分为串联谐振型和并联谐振型。
6.根据权利要求1或2所述的集成化的MIMO系统基站多天线和多工器模组装置,其特征在于:所述的FBAR双工器中的FBAR包含金属上电极、金属下电极、氮化铝层和硅衬底,共同构成FBAR的“三明治”式结构,其中氮化铝层位于金属上电极、金属下电极之间,硅衬底位于金属下电极的下面。
7.根据权利要求1所述的集成化的MIMO系统基站多天线和多工器模组装置,其特征在于:所述的贴片天线为微带贴片天线、或者为偶极子天线。
8.根据权利要求1所述的集成化的MIMO系统基站多天线和多工器模组装置,其特征在于:所述的FBAR集成多工器所使用的FBAR为背面刻蚀型FBAR、表面气囊型FBAR或布拉格反射型FBAR。
9.根据权利要求1所述的集成化的MIMO系统基站多天线和多工器模组装置,其特征在于:所述的FBAR集成多工器所使用的FBAR的工作模式为纵波模式或者剪切波模式。
10.根据权利要求1所述的集成化的MIMO系统基站多天线和多工器模组装置,其特征在于:所述的贴片天线组的馈电方式有基于并馈连接结构的馈电方式和基于串馈连接结构的馈电方式。
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