[发明专利]有机场效应晶体管阈值电压的调制方法有效
申请号: | 200910311849.X | 申请日: | 2009-12-18 |
公开(公告)号: | CN102104113A | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
发明(设计)人: | 商立伟;刘明;姬濯宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 王建国 |
地址: | 100029 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 场效应 晶体管 阈值 电压 调制 方法 | ||
1.一种有机场效应晶体管阈值电压的调制方法,其特征在于,所述方法包括:
提供有机场效应晶体管;
根据所需阈值电压利用光源辐照所述有机场效应晶体管的有机半导体层;
对所述有机场效应晶体管施加电压脉冲;
经过预定时间后,先后或同时撤销电压脉冲与光源。
2.根据权利要求1所述的调制方法,其特征在于,所述光源包括可见光源、红外光源、紫外光源中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的调制方法,其特征在于,所述阈值电压小于所述电压脉冲。
4.根据权利要求3所述的调制方法,其特征在于,所述预定时间与光源的强度成反比,并且由有机半导体层的材料中载流子的迁移速度决定。
5.根据权利要求1所述的调制方法,其特征在于,所述有机场效应晶体管包括:
绝缘衬底;
位于绝缘衬底上的栅电极,所述栅电极覆盖绝缘衬底的部分区域;
覆盖所述绝缘衬底和所述栅电极的栅介质层;
位于所述栅介质层上的源电极、漏电极;
有机半导体层,所述有机半导体层位于栅介质层和所述源电极、漏电极上方或者所述有机半导体层位于所述栅介质层与所述源电极、漏电极之间。
6.根据权利要求5所述的调制方法,其特征在于,所述绝缘衬底包括具有绝缘薄膜的硅片、玻璃和塑料中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910311849.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:利用金属介质的超声波干式清洗机
- 下一篇:一种银杏叶提取物的生产工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择